Комбінований сенсор-перетворювач світлового випромінювання на основі генератора на одноперехідному транзисторі
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347024110050Ключові слова:
одноперехідний та польовий транзистори, структура затвора, фоточутливість, вихідна частота, мікросхемаАнотація
Розроблено конструкцію сенсора-перетворювача світлового випромінювання на основі генератора на одноперехідному фототранзисторі. Для збільшення фоточутливості у схему генератора включений польовий фототранзистор з напівпровідниковим затвором, в якості якого використовується поздовжня структура з ділянок з протилежним типом провідності.
Посилання
- В. М. Шарапов, Е. С. Полищук, А. Н. Гуржий, Др., Датчики. Черкассы: Брама-Украина, 2008.
- G. G. Babichev, S. I. Kozlovskiy, V. A. Romanov, N. N. Sharan, “Silicon strain sensitive unijunction transistor with controlling p–n-junction,” Sensors Actuators A Phys., vol. 100, no. 2–3, pp. 236–243, 2002, doi: https://doi.org/10.1016/S0924-4247(02)00140-1.
- И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. Э. Горбачев, Н. С. Михайлов, “Полупроводниковые инжекционные сенсоры магнитного поля комбинированного типа для беспроводных информационных сетей,” Известия вузов. Радиоэлектроника, vol. 63, no. 7, pp. 437–447, 2020, doi: https://doi.org/10.20535/S0021347020070043.
- В. Г. Вербицький et al., Розробка Високоефективних Технологій Оптоелектроніки і Комунікаційних Систем на Їх Основі. Київ: Логос, 2009.
- И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев, “Частотные микроэлектронные сенсоры-преобразователи на основе однопереходных транзисторов,” Радиотехника и электроника, vol. 59, no. 3, pp. 296–303, 2014, doi: https://doi.org/10.7868/S0033849414030140.
- В. Г. Литовченко, М. В. Стріха, Сонячна Енергетика. Київ: К.І.С., 2015.
##submission.downloads##
Опубліковано
2024-10-26 — Оновлено 2024-10-26
Як цитувати
Вікулін, І. М., Курмашев, Ш. Д., & Назаренко, О. А. (2024). Комбінований сенсор-перетворювач світлового випромінювання на основі генератора на одноперехідному транзисторі. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 67(10), 626–628. https://doi.org/10.20535/S0021347024110050
Номер
Розділ
Короткі повідомлення

