Збільшення чутливості сенсорів-перетворювачів світла та магнітного поля на основі генераторів на одноперехідному транзисторі

Іван Михайлович Вікулін; Олександр Аскольдович Назаренко

doi:10.20535/S0021347024010060

Автор(и)

Іван Михайлович Вікулін Державний університет інтелектуальних технологій та зв’язку, Одеса, Україна https://orcid.org/0000-0003-3887-6676
Олександр Аскольдович Назаренко Одеський державний університет інтелектуальних технологій та зв’язку, Україна https://orcid.org/0000-0002-0187-0791

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347024010060

Ключові слова:

сенсор-перетворювач, одноперехідний і біполярний транзистори, частота генератора, магнітне поле, фотострум, фоточутливість, магніточутливість, коефіцієнт посилення

Анотація

Генератори на основі одноперехідних транзисторів (ОПТ) використовуються як датчики світла і магнітного поля, вихідним параметром яких є частота генерації, яка залежить від вимірюваної величини. В роботі експериментально показана можливість значного збільшення чутливості таких датчиків шляхом включення в ланцюг емітера ОПТ біполярного транзистора (БТ) у двополюсному варіанті з відключеною базою, струм через який також залежить від потоку світла і магнітного поля. Такий генератор на основі СПТ і БТ може застосовуватися як датчик випромінювання і як датчик магнітного поля. ОПТ застосовуються також у промислових оптронах, де є вхідним елементом, безконтактне управління яким здійснюється випромінюванням світлодіода. Можливість додаткового безконтактного керування оптроном зовнішнім магнітним полем значно розширює їх функціональні можливості.

Посилання

G. G. Babichev, S. I. Kozlovskiy, V. A. Romanov, N. N. Sharan, “Silicon strain sensitive unijunction transistor with controlling p–n-junction,” Sensors Actuators A Phys., vol. 100, no. 2–3, pp. 236–243, 2002, doi: https://doi.org/10.1016/S0924-4247(02)00140-1.
В. М. Шарапов, Е. С. Полищук, А. Н. Гуржий, Др., Датчики. Черкассы: Брама-Украина, 2008.
И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев, “Частотные микроэлектронные сенсоры-преобразователи на основе однопереходных транзисторов,” Радиотехника и электроника, vol. 59, no. 3, pp. 296–303, 2014, doi: https://doi.org/10.7868/S0033849414030140.
М. Г. Находкін, Ф. Ф. Сизов, Елементи Функціональної Електроніки. Київ: Укр. ІНТЕІ, 2002.
В. Г. Вербицький et al., Розробка Високоефективних Технологій Оптоелектроніки і Комунікаційних Систем На Їх Основі. Київ: Логос, 2009.
І. М. Вікулін, Л. Ф. Вікуліна, П. Ю. Марколенко, О. А. Назаренко, “Тиристори, що керуються світлом і магнітним полем,” Известия вузов. Радиоэлектроника, vol. 66, no. 2, pp. 116–119, 2023, doi: https://doi.org/10.20535/S0021347023010053.