Термостабільний сенсор-перетворювач оптичного випромінювання з частотним виходом на основі генератора на одноперехідному транзисторі

Іван Михайлович Вікулін; Олександр Аскольдович  Назаренко

doi:10.20535/S0021347023110055

Автор(и)

Іван Михайлович Вікулін Державний університет інтелектуальних технологій та зв’язку, Одеса, Україна https://orcid.org/0000-0003-3887-6676
Олександр Аскольдович Назаренко Державний університет інтелектуальних технологій та зв’язку, Одеса, Україна https://orcid.org/0000-0002-0187-0791

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347023110055

Ключові слова:

сенсор із частотним виходом, одноперехідний та польовий транзистори, потік випромінювання, дія температури, термостабільність

Анотація

В роботі розглянуто вплив температури на датчик оптичних випромінювань на основі генератора на одноперехідному (ОПТ) і польовому (ПТ) транзисторах, вихідним сигналом якого є частота, пропорційна інтенсивності випромінювання. Під впливом температури параметри транзисторів змінюються, що зумовлює температурну нестабільність частоти. Для термостабілізації вихідного сигналу паралельно першому ПТ1 підключено другий ПТ2 з протилежним знаком залежності струму від температури та регульованою термочутливістю. В результаті, температурні дії всіх трьох транзисторів на частоту генерації взаємно компенсуються і вихідна частота термостабілізується.

Посилання

В. М. Шарапов, Е. С. Полищук, А. Н. Гуржий, Др., Датчики. Черкассы: Брама-Украина, 2008.
М. Г. Находкін, Ф. Ф. Сизов, Елементи Функціональної Електроніки. Київ: Укр. ІНТЕІ, 2002.
Г. Виглеб, Датчики. Устройство и Применение. Москва: Мир, 1989.
И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев, “Частотные микроэлектронные сенсоры-преобразователи на основе однопереходных транзисторов,” Радиотехника и электроника, vol. 59, no. 3, pp. 296–303, 2014, doi: https://doi.org/10.7868/S0033849414030140.
В. Г. Вербицький et al., Розробка Високоефективних Технологій Оптоелектроніки і Комунікаційних Систем На Їх Основі. Київ: Логос, 2009.
И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. Э. Горбачев, Н. С. Михайлов, “Полупроводниковые инжекционные сенсоры магнитного поля комбинированного типа для беспроводных информационных сетей,” Известия вузов. Радиоэлектроника, vol. 63, no. 7, pp. 437–447, 2020, doi: https://doi.org/10.20535/S0021347020070043.