Акустоэлектрическое преобразование в полупроводниковых приборах

Анотація

В кристаллах полупроводников упругая деформация вызывает смещение энергетических уровней и изменение спектра носителей заряда. Как результат этого, при деформации p-n-переходов заметно изменяется высота их потенциального барьера и соответственно изменяются прямой и обратный токи. При этом, вследствие малости констант деформационного потенциала, изменение постоянного тока p-n-перехода наблюдается при достаточно высоком статическом давлении и относительной деформации [1]. Влияние же переменной деформации намного легче обнаружить. Кроме того, переменная упругая деформация может оказать влияние на шумовые характеристики полупроводниковых приборов.

В работе приведены результаты исследования воздействия ультразвуковой деформации на работу полупроводниковых приборов в условиях, когда период деформации был существенно больше времени релаксации носителей заряда. При этом ультразвуковая деформация может рассматриваться как квазистатическая, а наблюдавшееся преобразование ультразвуковых колебаний в электрические — в рамках деформационного потенциала.