Анализ электрических параметров ячейки оперативного запоминающего устройства с инжекционным питанием

Н. А. Аваев; Ю. Е. Наумов

doi:10.20535/S002134701975110039

Анализ электрических параметров ячейки оперативного запоминающего устройства с инжекционным питанием

Автор(и)

Н. А. Аваев
Ю. Е. Наумов

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701975110039

Анотація

Приведены результаты теоретического анализа ячейки оперативного запоминающего устройства, состоящей из двух двухколлекторных транзисторов. Получены формулы, определяющие электрические параметры ячейки в статическом и импульсном режимах: минимальный ток инжектора в режиме хранения, токи записи при различных способах записи, время записи, ток считывания и время считывания.

Посилання

Wiedmann S. K. Superintegrated memory shares functions on diffused islands / S. K. Wiedmann, H. H. Berger // Electronics. — Feb. 1972. — Vol. 46, No. 4. — P. 83.
Авaeв H. А. Статические характеристики транзистора с инжекционным питанием / H. А. Авaeв, Ю. E. Наумов // Радиоэлектроника. — 1975. — Т. 18, № 5. — С. 42. — (Известия вузов МВиССО СССР).
Аваев Н. А. Импульсный режим работы транзистора с инжекционным питанием / Н. А. Аваев, Ю. Е. Наумов // Радиоэлектроника. — 1975. — Т. 18, № 8. — С. 68. — (Известия вузов МВиССО СССР).
Аваев Н. А. Анализ электрических характеристик интегральных логических схем с инжекционным питанием / Н. А. Аваев, Ю. Е. Наумов // Радиоэлектроника. — 1975. — Т. 18, № 7. — С. 73. — (Известия вузов МВиССО СССР).

##submission.downloads##

Передплата або плата за доступ PDF (Русский) (50 UAH)

Опубліковано

1975-11-03

Як цитувати

Аваев, Н. А., & Наумов, Ю. Е. (1975). Анализ электрических параметров ячейки оперативного запоминающего устройства с инжекционным питанием. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 18(11), 15–20. https://doi.org/10.20535/S002134701975110039