Эффект начального насыщения в сплавных транзисторах при высоких уровнях инъекции
DOI:
https://doi.org/10.20535/S002134701966030063Анотація
Показывается, что при больших токах имеет место раннее вхождение в насыщение периферийных областей коллектора. Вводится понятие о напряжении начального насыщения и вычисляется его величина. Указывается, что учет эффекта начального насыщения существенен как при проектировании ряда импульсных устройств на транзисторах, так и при разработке транзисторов.
Посилання
- Huang С. A physical theory of junction transistor in collector voltage saturation region / С. Huang // IRE Trans. — Apr. 1959. — Vol. 6, No. 2. — P. 141.
- Берестовский Г. H. Статические характеристики и переходные процессы в полупроводниковом триоде / Г. H. Берестовский // Радиотехника и электроника. — 1960. Т. 5, № 3. — С. 460.
- Flеtсhеr N. General semiconductor junction relation / N. Flеtсhеr // J. of Electronics. — May 1957. — Vol. 2, No. 6. — P. 609.
- Flеtсhеr N. The high current limit of semiconductor devices / N. Flеtсhеr // PIRE. — June 1957. — Vol. 45, No. 6. — P. 862.
- Берковский Ф. М. Вольтамперная характеристика запирающего слоя германиевого перехода в пропускном направлении / Ф. М. Берковский, С. М. Рывкин, Н. Б. Строкан // Физика твердого тела. — 1960. — Т. 2, № 8. — С. 1956.
##submission.downloads##
Опубліковано
1966-03-06
Як цитувати
Чайка, Ю. Д., & Шац, С. Я. (1966). Эффект начального насыщения в сплавных транзисторах при высоких уровнях инъекции. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 9(3), 327–333. https://doi.org/10.20535/S002134701966030063
Номер
Розділ
Оригінальні статті
