Режим насыщения в полупроводниковых триодах при больших сигналах

В. А. Кузьмин

doi:10.20535/S00213470195905003X

Режим насыщения в полупроводниковых триодах при больших сигналах

Автор(и)

В. А. Кузьмин Московский ордена Ленина государственный университет им. М. В. Ломоносова, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S00213470195905003X

Анотація

Даются пределы применимости теории малого сигнала для режима насыщения. Рассмотрена работа сплавных полупроводниковых триодов в режиме насыщения в случае произвольных уровней инжекции. Учтено влияние электронной составляющей тока через переходы на время рассасывания. Выводы теории проверены экспериментально.

Опубліковано

2010-03-03

Як цитувати

Кузьмин, В. А. (2010). Режим насыщения в полупроводниковых триодах при больших сигналах. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2(5), 566–574. https://doi.org/10.20535/S00213470195905003X