Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе

Анотація

Самойленко В. И., Особенности работы полупроводниковых диодов и триодов при больших уровнях напряжений. Научный руководитель д. т. н. проф. И. С. Гоноровский. Защита состоялась 30 июня1958 г. Официальные оппоненты: д. т. н. Р. А. Валитов, к. т. и. А. И. Иванов-Цыганов.

Теоретически и экспериментально исследуются свойства емкостей p-n перехода: зависимость ее от приложенного к переходу постоянного напряжения, тока, протекающего через переход, амплитуды высокочастотных колебаний, частоты и температуры.

Установлено, что емкость p-n перехода является одним из наиболее стабильных параметров p-n перехода. Она практически не зависит от частоты вплоть до тысяч мегагерц, очень мало зависит от температуры. Поэтому целесообразно использование емкости p-n перехода, как управляемой реактивности в различных радиотехнических устройствах.

Рассмотрены особенности применения емкости p-n перехода в схемах амплитудных и частотных модуляторов, параметрических усилителей, в линиях задержки с переменной величиной задержки и др.