Триггерные устройства с использованием емкости p-n перехода

В. И. Самойленко; И. А. Глотов

doi:10.20535/S002134701959010058

Автор(и)

В. И. Самойленко Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе, Російська Федерація
И. А. Глотов Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701959010058

Анотація

Рассматривается триггерный режим в нелинейном LC контуре при использовании емкости p-n перехода в качестве управляемой. Даны основные соотношения для выбора параметров схемы. Экспериментально подтверждается возможность создания параметрического триггера с использованием емкости p-n перехода.

Посилання

Демин, В. П. "Использование полупроводниковых элементов в схемах автоматической подстройки частоты," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 1, № 3, с. 356, 1958. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701958030110.
Самойленко, В. И. "Параметрическое усиление с использованием емкости p-n перехода," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 1, № 4, с. 451, 1958. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701958040105.
Шокли, В. Теория электронных полупроводников. ИИЛ, 1953.
Пеннин, Н. А.; Якунина, К. В. "Физические основы полупроводниковых приборов," в сб. «Полупроводниковые приборы и их применения» под ред. Я. А. Федотова. Советское радио, 1957.
Dill, F.; Depian, Н. "Semiconductor capacitance amplifier," Conv. Rec. IRE, p. III, 1956.