Десять лет полупроводниковой электроники

Автор(и)

  • А. В. Красилов НИИ Государственного Комитета Совета Министров СССР по радиоэлектронике, Російська Федерація
  • Н. М. Ройзин Московский инженерно-физический институт, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701958060017

Анотація

В 1958 г. исполнилось 10 лет со времени обнаружения эффекта взаимодействия токов двух электродов на германиевом кристалле, что привело к созданию точечно-контактного германиевого транзистора.

При исследовании распределения потенциала около точечного контакта диода с помощью зонда Бардин и Браттейн [1] обнаружили изменение обратного тока диода при пропускании тока через зонд. Дальнейшие исследования показали, что сигнал, подводимый к зонду (эмиттеру), может быть усилен по току и мощности в цепи диода (коллектора). Открытие этого явления дало мощный толчок развитию теоретических и экспериментальных работ в области электронных полупроводников и в особенности германия и кремния. Физические исследования в этот период отличались исключительной целенаправленностью и значительно расширили наши представления о физических процессах в полупроводниках. Они велись в тесной связи с техническими проблемами по созданию полупроводниковых приборов для радиоэлектроники и привели к крупным достижениям. Ряд новых идей и приборов, возникших в этот период, не выдержали испытания времени. Так, не выдержал конкуренции точечно-контактный транзистор — родоначальник всех современных транзисторов. Сейчас, когда пройден десятилетний путь развития полупроводниковой электроники, полезно проследить, какие идеи оказались наиболее существенными для достижения ее нынешнего уровня и на чем основаны надежды на дальнейший рост.

Біографія автора

Н. М. Ройзин, Московский инженерно-физический институт

(1958) НИИ Государственного Комитета Совета Министров СССР по радиоэлектронике

Посилання

Bardeen, J.; Brattain, W. H. The transistor, a semi-conductor triode. Phys. Rev., v.74, n.2, p.230, 1948. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.74.230.

Shockley, W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. Bell Syst. Tech. J., v.28, n.3, p.435-489, 1949. DOI: https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x.

Bradleу, W. Е. The surface-barrier transistor: Part I-Principles of the surface-barrier transistor. Proc. IRE, v.41, n.12, p.1702-1706, 1953. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1953.274351.

Early, J. М. Р-N-I-Р and N-Р-I-N junction transistor triodes. Bell Syst. Tech. J., v.33, n.3, p.517-533, 1954. DOI: http://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1954.tb02355.x.

Statz, H.; Pucel, R. A. The spacistor, a new class of high-frequency semiconductor devices. Proc. IRE, v.45, n.3, p.317-324, 1957. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1957.278367.

Read Jr., W. T. A proposed high-frequency, negative-resistance diode. Bell Syst. Tech. J., v.37, n.2, p.401-446, 1958. DOI: http://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1958.tb01527.x.

Опубліковано

1958-11-01

Як цитувати

Красилов, А. В., & Ройзин, Н. М. (1958). Десять лет полупроводниковой электроники. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 1(6), 639–646. https://doi.org/10.20535/S002134701958060017

Номер

Розділ

Оригінальні статті