Влияние инжекции неосновных носителей на входное сопротивление кристаллического канального триода
DOI:
https://doi.org/10.20535/S002134701958040099Анотація
Рассматривается влияние термически генерированных и инжектированных неосновных носителей на входное сопротивление канального триода, а также методы уменьшения этого влияния. Приводятся зависимости входной проводимости и входного тока от температуры, входного напряжения и коэффициента инжекции стока.Посилання
- Пеннин, Н. А.; Якунин, К. В. Физические основы полупроводниковых приборов. Сб. статей "Полупроводниковые приборы и их применение". Советское радио 1956.
- Ши, Р. Полупроводниковые приборы и их применение. Госэнергонздат, 1957.
- Иоффе, А. Ф. Физика полупроводников. Изд. АН СССР, 1957.
- Shockley, W. A unipolar "field-effect" transistor. Proc. IRE, v.40, n.11, p.1365-1376, 1952. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1952.273964.
- Dacey, G. C.; Ross, I. M. Unipolar "field-effect" transistor. Proc. IRE, v.41, n.8, p.970-979, 1953. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1953.274285.
- Bray, R. Minority carrier extraction in germanium. Phys. Rev., v.100, n.4, p.1047, 1955. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.100.1047.
- Angellо, S. J.; Ebert, T. E. New minority carrier phenomenon in germanium. Phys. Rev., v.96, n.1, p.221, 1954. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.96.221.
##submission.downloads##
Опубліковано
1958-07-09
Як цитувати
Зубрицкий, Л. А. (1958). Влияние инжекции неосновных носителей на входное сопротивление кристаллического канального триода. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 1(4), 445–450. https://doi.org/10.20535/S002134701958040099
Номер
Розділ
Оригінальні статті
