Применение особых свойств полупроводниковых диодов

И. П. Степаненко

doi:10.20535/S002134701958010039

Автор(и)

И. П. Степаненко Московский инженерно-физический институт, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701958010039

Анотація

Современная полупроводниковая электроника использует приборы, состоящие из так называемых «переходов» — своеобразных контактов между двумя полупроводниками, отличающимися своими электрическими свойствами. Чаще всего переход является контактом между слоями полупроводников с электронной и дырочной проводимостями (р–n переход). Однако используются переходы и других типов: между примесным и беспримесным полупроводниками (р–i, n–i переходы), между металлом и полупроводником, между полупроводниками одного типа, но с разной величиной проводимости (L–Н или р⁺–р, n⁺–n переходы).

Свойства многопереходных приборов тесно связаны со свойствами отдельного перехода или, точнее, со свойствами однопереходного прибора — полупроводникового диода. Униполярная проводимость является хорошо известной особенностью диодов, находящей широкое применение в выпрямительной технике. Другие (особые) свойства полупроводниковых диодов используются пока лишь в отдельных случаях, главным образом в экспериментах. Между тем, как показано ниже, эти особые свойства представляют большой интерес. Они могут найти важное самостоятельное применение, быть может не менее широкое, чем выпрямительное свойство…

Посилання

Степаненко, И. П. Специальное использование электронных ламп в автоматике и приборостроении. Успехи электровакуумной техники. Сборник под ред. проф. Г. А. Тягунова. Госэнергоиздат, 1956.
Sylvan, Т. Logarithmic attenuators using silicon-junction diodes. IRE Trans. Circuit Theory, v.3, n.1, p.69-70, Mar. 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/TCT.1956.1086283.
Schaeffer, N. M.; Wood, G. W. The application of some semiconductors as logarithmic elements. Рrос. IRE, v.42, n.7, p.1113-1116, 1954. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1954.274540.
Генерирование электрических колебаний специальной формы : Т. II. Перевод. Сов. радио, 1951. Гл. XIX.
Koch, Einige Anwendungen der nichtlinearen Charakteristik von Germanium Kristall-Dioden. Bull. Schw. El. Vereins, n.8, p.361, 1955.
Matusche, Quotienten-Messung mit Trockengleichrichtern als spannungsab-hangige Widerstande. Frequenz, n.7, p.232, 1955.
Kauke, J. Negative resistance in germanium diodes. Rad. and Tel. News, p. 8, Apr. 1953.
Burgess, R. E. Electrical oscillations in thermistors and germanium point-contact rectifiers. J. Electronics Control, v.1, n.3, p.297-302, Nov. 1955. DOI: https://doi.org/10.1080/00207215508961416.
Pивe, Германиевые диоды с отрицательным сопротивлением в прямом направлении. Вестн. инф., № 12, 1954.
Лебедев, А.; Стафеев, В.; Тучкевич, В. Некоторые свойства диодов из германия с примесью золота. ЖТФ, Т. XXVI, № 10, С. 2131, 1956.
Ebel, Н. Negative Widerstande mit Transistoren in der Netzwerksynthese. NTZ, n.11, p.513, 1956.
Smith, D. H. The suitability of the silicon alloy junction diode as a reference standard in regulated metallic rectifier circuits. Trans. AIEE, Part I: Commun. Electronics, v.73, n.6, p.645-651, Jan. 1955. DOI: https://doi.org/10.1109/TCE.1955.6372217.
Кононов, Б. H. Стабилизаторы напряжения на полупроводниковых триодах. Приборостроение, № 10, С. 9, 1956.
Sсobey, J.; White, W.; Salzberg, В. Fast switching with junction diodes (Correspondence). Рrос. IRE, v.44 n.12, p.1880, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1956.275088.
Dobrinski, P.; u.a. Die Silizium-Zenerdiode. NTZ, n.4, p.195, 1957.
Князев, А. Частотный модулятор на ДГ-Ц. Радио, № 9, С. 22, 1956.
Назаров, В. Г. Диэлектрические усилители. Радиотехника, № 8, С. 44, 1955.
Dill, F.; Depian, L. Semiconductor capacitance amplifier. Conv. Rec. IRE, v.MI, p.172, 1956.
Armistead, M.; at al. Microwave semiconductor switch (Correspondence). Рrос. IRE, v.44, n.12, p.1875, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1956.275088.
Diode amplifier. Tech. News Bull. NBS, p.145, Oct. 1954.