Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии

Автор(и)

  • Ш. Сингх ITM университет, Індія
  • В. Мишра ITM университет, Індія

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347018050035

Ключові слова:

напряжение шума, RSNM, WSNM, коэффициент ячейки, коэффициент нагрузки, мемристор, ячейка 7T SRAM

Анотація

Технология сверхбольших интегральных схем VLSI (very large scale integrated) завоевала популярность благодаря возможности значительного изменения и адаптации. Развитие данных платформ идет по пути уменьшения размеров элементов. Но происходит не только уменьшение размеров, но и революция в конструировании, когда все схемы переключаются с уровня единичных элементов к уровню других появляющихся устройств. В этой борьбе мемристоры более способны закрепится в области VLSI по сравнению с другими новыми устройствами. В данной работе представлено изучение статического запаса помехоустойчивости, подчеркивается новая проблема точности, поскольку шум оказывает большое влияние на напряжение удержания ячейки SRAM и это влияние в мемристорной ячейке меньше, чем для традиционной ячейки 7T SRAM. Результаты имитационного моделирования представлены для ячейки 7T SRAM и мемристорной 7T SRAM ячейки технологии 45 нм. В данной работе обсуждается и сравнивается влияние коэффициентов ячейки и нагрузки.

Посилання

Bowman, K. A.; Duvall, S. G.; Meindl, J. D. “Impact of die-to-die and within-die parameter fluctuations on the maximum clock frequency distribution for gigascale integration,” IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 37, No. 2, P. 183-190, Feb. 2002. DOI: https://doi.org/10.1109/4.982424.

Borkar, S.; Karnik, T.; Narendra, S.; Tschanz, J.; Keshavarzi, A.; De, V. “Parameter variations and impact on circuits and microarchitecture,” Proc. of 40th Annual Design Automation Conf., 2-6 Jun. 2003, Anaheim, CA, USA. ACM, 2006, pp. 338-342. DOI: https://doi.org/10.1145/775832.775920.

Karnik, T.; De, V.; Borkar, S. “Statistical design for variation tolerance: key to continued Moore’s law,” Proc. of Int. Conf. on Integrated Circuit Design and Technology, 17-20 May 2004, Austin, TX, USA. IEEE, 2004, pp. 175-176. DOI: https://doi.org/10.1109/ICICDT.2004.1309939.

Doyle, S.; Ramaswamy, S.; Hoang, T.; Rockett, L.; Grembowski, T.; Bumgarner, A. “High performance radiation hardened static random access memory (SRAM) design for space applications,” Proc. of IEEE Aerospace Conf., 6-13 Mar. 2004, Big Sky, MT, USA. IEEE, 2004, pp. 2284-2293. DOI: https://doi.org/10.1109/AERO.2004.1368022.

Chua, L. “Memristor-The missing circuit element,“ IEEE Trans. Circuit Syst., Vol. 18, No. 5, P. 507-519, 1971. DOI: https://doi.org/10.1109/TCT.1971.1083337.

Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. Stanley. “The missing memristor found,” Nature, Vol. 453, P. 80-83, 2008. DOI: https://doi.org/10.1038/nature06932.

Itoh, M.; Chua, L. O. “Memristor oscillators,” Int. J. Bifurcation Chaos, Vol. 18, No. 11, P. 3183-3206, 2008. DOI: https://doi.org/10.1142/S0218127408022354.

Mukherjee, Debasis; Mondal, Hemanta Kr.; Reddy, B. V. R. “Static noise margin analysis of SRAM cell for high speed application,” Int. J. Computer Science Issues, Vol. 7, No. 5, Sept. 2010. URI: https://www.ijcsi.org/papers/7-5-175-180.pdf.

Chandrakasan, A. P.; Sheng, S.; Brodersen, R. W. “Low-power CMOS digital design,” IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 27, No. 4, P. 473-484, Apr. 1992. DOI: https://doi.org/10.1109/4.126534.

Pavlov, Andrei; Sachdev, Manoj. CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies. Springer, 2008. DOI: http://doi.org/10.1007/978-1-4020-8363-1.

Kang, Sung-Mo; Leblebici, Yusuf. CMOS Digital Integrated Circuits: Analysis & Design, 3rd ed. McGraw-Hill Education, 2002.

Singh, Shalini; Sable, Varun; Baghel, Vijay Singh; Akashe, Shyam. “Memory device with non-volatile memory array including one FinFET one memristor (1F1M),” Ref. No. 3093/MUM/2015, Pub. 11 Sept. 2015, India.

Rabaey, Jan M.; Chandrakasan, Anantha; Nikolic, Borivoje. Digital Integrated Circuits, 2nd ed. Pearson, 2003.

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-05-27

Як цитувати

Сингх, Ш., & Мишра, В. (2018). Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 61(5), 267–274. https://doi.org/10.20535/S0021347018050035

Номер

Том 61 № 5 (2018)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.