Технологические особенности изготовления СВЧ прибора с барьерами Шоттки

Автор(и)

  • Вадим Сергеевич Дмитриев Запорожская государственная инженерная академия, Україна
  • Любовь Борисовна Дмитриева Запорожская государственная инженерная академия, Україна
  • Евгений Яковлевич Швец Запорожская государственная инженерная академия, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701802005X

Ключові слова:

барьер Шоттки, СВЧ прибор, арсенид галлия, эпитаксиальная пленка, травление, режим термообработки, контакт

Анотація

В настоящее время исследования и разработка гетеропереходов ведутся в направлениях поиска новых композиций и технологических режимов создания омических и барьерных переходов к арсениду галлия. Переход к металлизации на основе серебра, имеющего большие по сравнению с золотом тепло- и электропроводность и относительно небольшой коэффициент диффузии в арсенид галлия, должен повысить технические характеристики изделий. Одной из важнейших технологических операций при формировании омических контактов и барьеров Шоттки является термический отжиг. Контакты на основе серебра к арсениду галлия изготовлены в вакууме методом термического испарения. Разработаны режимы нанесения и термической обработки при создании омических контактов Ag–Ge–In/n–n+GaAs с удельным контактным сопротивлением ρк=(5…7)∙10-5 Ом∙см2. Установлено влияние температуры подложки при напылении серебра, температуры отжига на высоту барьера Шоттки Ag/n–n+GaAs, коэффициент инжекции γ и фактор неидеальности η.

Біографії авторів

Вадим Сергеевич Дмитриев, Запорожская государственная инженерная академия

Кафедра микроэлектронных информационных систем, зав. научно-учебной лабораторией.

Любовь Борисовна Дмитриева, Запорожская государственная инженерная академия

Кафедра Микроэлектронных информационных ситем, доцент, к.т.н.

Евгений Яковлевич Швец, Запорожская государственная инженерная академия

пенсионер, профессор, к.т.н.

Посилання

Белоус, А. И.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В. Космическая электроника: в 2 кн. Кн.2. М.: Техносфера, 2015. 489 с.

Швец, Е. Я.; Коломоец, А. Г. "Оценка перспектив применения арсенида галлия и сплавов на его основе в качестве материалов для солнечных элементов," Металургія, № 30, С. 132–136, 2013. URI: http://www.zgia.zp.ua/gazeta/Metallurgy_30_132.pdf.

Загирняк, М. В.; Оксанич. А. П.; Петренко, В. Р.; Притчин, С. Э.; Тербан, В. А. "Создание современных технологий выращивания структурно-совершенных слитков электронного арсенида галлия," Сборник научных трудов 5-й Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Кацивели: ХНУРЭ, 2012, С. 5–13.

Зуев, С. А.; Килесса, Г. В.; Асанов, Э. Э.; Старостенко, В. В.; Покрова, С. В. "Зависимость проводимости от толщины активной области в тонкопленочных диодах Шоттки на GaAs," Физика и техника полупроводников, Т. 50, № 6, С. 825–829, 2016. URI: http://journals.ioffe.ru/articles/43212.

Park, Chan Hyeong; Lee, Jong-Ho. "Formulas of 1/f noise in Schottky barrier diodes under reverse bias," Solid-State Electronics, Vol. 69, Р. 85-88, 2012. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.11.030.

Платонов, С. В.; Пермяков, Н. В.; Селезнев, Б. И.; Мошников, В. А.; Козловский, Э. Ю.; Осипов, А. М. "Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей," Вестник Новгородского государственного университета, № 67, С. 29–32, 2012. URI: http://www.novsu.ru/file/1010219.

Ерофеев, Е. В. Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов : автореф. дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук : спец. 01.04.04 «Физическая электроника». Томск, 2012, 24 с. URI: http://old.tusur.ru/export/sites/ru.tusur.new/ru/science/education/diss/2012/03/01.pdf.

Кольцов, Г. И.; Диденко, С. И.; Черных, А. В.; Черных, С. В.; Чубенко, А. П.; Свешников, Ю. Н. "Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов," Физика и техника полупроводников, № 8, С. 1088–1093, 2012. URI: http://journals.ioffe.ru/articles/7776.

Tecimer, H.; Türüt, A.; Uslu, H.; Altındal, Ş.; Uslu, İ. "Temperature dependent current-transport mechanism in Au/(Zn-doped)PVA/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs)," Sensors and Actuators A: Physical, Vol. 199, P. 194-201, 2013. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2013.05.027.

Jayavel, P.; Kumar, J.; Ramasamy, P.; Premanand, R. "On the evaluation of Schottky barrier diode parameters of Pd, Au and Ag/n-GaAs," Indian J. Eng. Materials Sci., Vol. 7, No. 5-6, Р. 340-343, 2000. URI: http://nopr.niscair.res.in/handle/123456789/24425.

Дмитриев, В. С.; Швец, Е. Я. Технологические особенности изготовления усилителя бегущей волны. Сборник материалов 10-й международной молодежной научно-технической конференции «Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций «РТ-2014». Севастополь: СевНТУ, 2014. С. 158. ISBN 978-617-612-072.

Huo, P.; Rey-Stolle, I."Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for high current density devices," J. Electronic Materials, Vol. 45, No. 6, P. 2769-2775, 2016. DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6.

Özavcı, E.; Demirezen, S.; Aydemir, U.; Altındal, Ş. "A detailed study on current-voltage characteristics of Au/n-GaAs in wide temperature range," Sensors and Actuators A: Physical, Vol. 194, Р. 259-268, 2013. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2013.02.018.

Hudait, M. K.; Venkateswarlu, P.; Krupanidhi, S. B. "Electrical transport characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge at low temperatures," Solid-State Electronics, Vol. 45, No. 1, Р. 133-141, 2001. DOI: https://doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00230-6.

Korucu, D.; Turut, A.; Altındal, Ş. "The origin of negative capacitance in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) prepared by photolithography technique in the wide frequency range," Current Appl. Phys., Vol. 13, No. 6, P. 1101-1108, 2013. DOI: https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.03.001.

Leroy, W. P.; Opsomer, K.; Forment, S.; Van Meirhaeghe, R. L. "The barrier height inhomogeneity in identically prepared Au/n-GaAs Schottky barrier diodes," Solid-State Electronics, Vol. 49, No. 6, P. 878-883, 2005. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2005.03.005.

Lv, Jing; Lai, Fachun; Lin, Limei; Lin, Yongzhong; Huang, Zhigao; Chen, Rong. "Thermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation," Appl. Surface Sci., Vol. 253, No. 17, P. 7036-7040, 2007. DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.02.058.

Kim, H. C.; Alford, T. L. "Improvement of the thermal stability of silver metallization," J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 8, Р. 5393-5395, 2003. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1609646.

Sugawara, K.; Kawamura, M.; Abe, Y.; Sasaki, K. "Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films," Microelectron. Eng., Vol. 84, No. 11, P. 2476-2480, 2007. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2007.05.050.

Kawamura, M.; Yamaguchi, M.; Abe, Y.; Sasaki, K. "Electrical and morphological change of Ag-Ni films by annealing in vacuum," Microelectron. Eng., Vol. 82, No. 3-4, P. 277-282, 2005. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.035.

Christou, A. "Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems," Solid-State Electronics, Vol. 22, No. 2, P. 141-149, 1979. DOI: https://doi.org/10.1016/0038-1101(79)90106-0.

Дмитрієв, В. С.; Швець, Є. Я.; Дмитрієва, Л. Б. "Технологічні особливості виготовлення омічного контакту до GaAs," Науковий вісник КУЕІТУ «Нові технології», № 1-2, С. 48-50, 2013.

Мурель, А. В.; Данильцев, В. М.; Демидов, Е. В.; Дроздов, М. Н.; Шашкин, В. И. "Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным delta-легированием," Физика и техника полупроводников, Т. 47, № 11, С. 1481-1485, 2013. URI: https://doi.org/10.1134/S106378261311016X.

Kampen, T. U.; Park, S.; Zahn, D. R. T. "Barrier height engineering of Ag/GaAs(100) Schottky contacts by a thin organic interlayer," Appl. Surface Sci., Vol. 190, No. 1-4, P. 461-466, 2002. DOI: https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00919-9.

Нисков, В. Я. "Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников," Приборы и техника эксперимента, № 1, С. 235-237, 1971.

Нисков, В. Я.; Заддэ, В. В.; Зайцева, А. К.; Стрельцова, В. И. "Измерение переходного сопротивления контактов на тонких слоях полупроводника," Приборы и техника эксперимента, № 2, С. 240-242, 1971.

Нисков, В. Я.; Кубецкий, Г. А. "Сопротивление омических контактов к тонким слоям полупроводников," Физика и техника полупроводников, Т. 4, № 9, С. 1806-1808, 1970.

Sze, S. M.; Kwok, K. N. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed.Hoboken: Wiley & Sons, Inc., 2006. 832 p.

Опубліковано

2018-02-25

Як цитувати

Дмитриев, В. С., Дмитриева, Л. Б., & Швец, Е. Я. (2018). Технологические особенности изготовления СВЧ прибора с барьерами Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 61(2), 108–116. https://doi.org/10.20535/S002134701802005X

Номер

Розділ

Оригінальні статті