Радиационно чувствительный детектор на основе полевых транзисторов

Иван Михайлович Викулин; Виктор Эдуардович Горбачев; Александр Аскольдович Назаренко

doi:10.20535/S0021347017090035

Автор(и)

Иван Михайлович Викулин Национальный университет "Одесская морская академия", Україна https://orcid.org/0000-0003-3887-6676
Виктор Эдуардович Горбачев Одесская национальная академия связи им. А. С. Попова, Україна https://orcid.org/0000-0002-6668-6864
Александр Аскольдович Назаренко Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347017090035

Ключові слова:

детектор радиации, полевой транзистор, мостовая схема, радиационная чувствительность.

Анотація

Экспериментально исследована возможность создания детекторов радиации на основе полевых транзисторов. Для уменьшения влияния температурных флуктуаций в датчике использована схема измерительного моста. Полученные зависимости тока насыщения стока полевых транзисторов от интенсивности радиационного облучения позволяют разработать простую конструкцию детекторов малых уровней радиации. Путем использования двух пар полевых транзисторов с противоположным знаком радиационной чувствительности можно увеличить чувствительность такого детектора в несколько раз.

Посилання

Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев — М. : Радио и связь, 1990. — 264 с.
Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В. М. Кулаков, В. И. Шаховцов [и др.] — М. : Сов.радио, 1980. — 224 с.
Викулин И. М. Мостовые датчики на основе полевых транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, А. В. Веремьева // Фотоэлектроника. — 2014. — №23, — С. 135–139.
Викулин И. М. Частотные микроэлектронные сенсоры-преобразователи на основе однопереходных транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев // Радиотехника и электроника. — 2014. — Т. 59, № 3. — С. 296–303.
Шарапов В. М. Датчики / В. М. Шарапов, А. H. Гуржий, И. М. Викулин и др. — Киев: Брама-Украина, 2008. — 1071 с.