Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия

Александр Иванович Михайлов; Антон Васильевич Митин; Илья Олегович Кожевников

doi:10.20535/S002134701504007X

Автор(и)

Александр Иванович Михайлов Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, Російська Федерація
Антон Васильевич Митин Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, Російська Федерація
Илья Олегович Кожевников Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, Російська Федерація https://orcid.org/0000-0001-6123-9312

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701504007X

Ключові слова:

полуизолирующий арсенид галлия, рекомбинационная неустойчивость тока, функциональная электроника

Анотація

Приведены результаты экспериментального исследования влияния различных факторов (расстояние между контактами, тип контактов, марка исходных пластин) на возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных планарно-эпитаксиальных структурах на основе высокоомного полуизолирующего арсенида галлия n-типа. Установлено, что расстояние между анодным и катодным контактами является определяющим фактором, обусловливающим возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в таких структурах.

Посилання

Гуляев Ю. В. Акустоэлектроника (исторический обзор) / Ю. В. Гуляев // Успехи физических наук. — 2005. — Т. 175, № 8. — С. 887–895. — DOI : http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.0175.200508h.0887.
Щука А. А. Функциональная электроника / А. А. Щука // Успехи современной радиоэлектроники. — 2004. — № 5–6. — С. 149–168.
Левинштейн М. Е. Эффект Ганна / М. Е. Левинштейн, Ю. К. Пожела, М. С. Шур. — М. : Сов. радио, 1975. — 288 с.
Шур М. С. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. С. Шур ; пер. с англ. под ред. М. Е. Левинштейна. — М. : Мир, 1991. — 632 с.
Бонч-Бруевич В. Л. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках / В. Л. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, А. Г. Миронов. — М. : Наука, 1972. — 416 с.
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс. — М. : Мир, 1977. — 562 с.
Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs / A. Neumann // J. Appl. Phys. — 2001. — Vol. 90, No. 1. — P. 1–26. — DOI : http://dx.doi.org/10.1063/1.1377023.
Муравский Б. С. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом / Б. С. Муравский, В. Н. Черный, И. Л. Яманов, [и др.] // Микроэлектроника. — 1989. — Т. 18, № 4. — С. 304–309.
Kiyama M. Electric-field-enhanced electron capture coefficient of EL2 level in semi-insulating GaAs / M. Kiyama, M. Tatsumi, M. Yamada // Appl. Phys. Lett. — 2005. — Vol. 86, No. 1. — P. 012102–012102-3. — DOI : http://dx.doi.org/10.1063/1.1844040.
de Oliveira A. G. Blockade of free carriers by hopping carriers leading to the low-frequency current oscillations in semi-insulating GaAs / A. G. de Oliveira, G. M. Ribeiro, H. A. Albuquerque, M. V. B. Moreira, W. N. Rodrigues, J. C. Gonzalez, R. M. Rubinger // Phys. Rev. B. — 2006. — Vol. 74, No. 3. — P. 035204. — DOI : http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.74.035204.
Муравский Б. С. Перспективы использования рекомбинационной неустойчивости тока в функциональной электронике / Б. С. Муравский, Л. Р. Григорьян, Г. П. Рубцов, В. Н. Черный // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники : VII Всерос. науч.-техн. конф. : труды. — Таганрог, 2000. — С. 69.
Кирюхин А. Д. Колебания тока в компенсированном золотом кремнии, прошедшем предварительную высокотемпературную обработку / А. Д. Кирюхин, А. В. Зуев, В. В. Зуев, В. В. Григорьев // Научная сессия МИФИ-2008. — М. : МИФИ, 2008. — Т. 2. — С. 193–196.
Михайлов А. И. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки / А. И. Михайлов, А. В. Митин // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 87–91. — Режим доступа : http://elibrary.ru/item.asp?id=17272416.