Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET

Автор(и)

  • Равиндра Сингх Кушвах журнал "Известия вузов. Радиоэлектроника", Індія https://orcid.org/0000-0001-5229-0204
  • Манорама Чаухан ITM Университет, Індія
  • Паван Шривастава ITM Университет, Індія
  • Шиам Акеше ITM Университет, Індія

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347014120048

Ключові слова:

технология FinFET, низкая мощность, помехоустойчивость, эффект короткого канала, мощность тока утечки

Анотація

На основе анализа проблем технологии полевых транзисторов MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) со структурой металл–окисел–полупроводник на базе технологии двойного или множественного затвора с целью обеспечения адекватного управления затвором была разработана технология FinFET, позволяющая дополнительно уменьшить размеры устройства MOSFET. Применение транзисторов MOSFET с двойным затвором (dual-gate или DG MOSFET) позволяет управлять затвором, а, следовательно, каналом между истоком и стоком более эффективно. Следовательно, многие проявления эффекта короткого канала, такие как под-пороговые колебания, уменьшение дифференциального сопротивления стока в области насыщения или DIBL-эффект (Drain Induced Barier Lowering), ток утечки затвора, пробой и т. д. не возникают с ростом концентрации носителей заряда в канале. Данная работа посвящена анализу особенностей конструкции DG MOSFET, в частности FinFET-структур. Рассмотрены FinFET-структура и 4 варианта ее конструкции: SG, LP, IG и IG/LP. Проведен сравнительный анализ таких параметров, как ток утечки закрытого транзистора, задержка, суммарная потребляемая мощность схемы и шумы для 45 нм технологического процесса с помощью программы Cadence Virtuoso.

Посилання

Jovanović V. FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body / V. Jovanović, T. Suligoj, P. Biljanović, L. K. Nanver // Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics : 31st Int. Convention MIPRO2008, May 26–30, 2008, Opatija, Croatia. — URL : http://ectm.ewi.tudelft.nl/publications_pdf/document1263.pdf.

Kumar V. R. Submicron 70nm CMOS Logic Design with FINFETs / V. Raj Kumar, A. Alfred Kirubaraj // Int. J. Eng. Sci. Technol. — 2010. — Vol. 2, No. 9. — P. 4751–4758. — URL : http://www.ijest.info/docs/IJEST10-02-09-154.pdf.

Gu J. Width quantization aware FinFET circuit design / Jie Gu, John Keane, Sachin Sapatnekar, Chris Kim // Custom Integrated Circuits : IEEE Conf. CICC’06, 10–13 Sept. 2006, San Jose, CA : proc. — IEEE, 2006. — P. 337–340. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/CICC.2006.320916.

FinFET SRAM with enhanced read/write margins / A. Carlson, Z. Guo, S. Balasubramanian, L. T. Pang, T.-J. King Liu, B. Nikolic / SOI : IEEE Int. Conf., 2–5 Oct. 2006, Niagara Falls, NY : proc. — IEEE, 2006. — P. 105–106. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/SOI.2006.284456.

Muttreja A. CMOS logic design with independent-gate FinFETs / A. Muttreja, N. Agarwal, N. K. Jha // Computer Design : 25th Int. Conf. ICCD, 7–10 Oct. 2007, Lake Tahoe, CA : proc. — IEEE, 2007. — P. 560–567. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/ICCD.2007.4601953.

Low leakage bulk silicon substrate based SDOI FINFETs / Jia Lio, Zhijiong Luo, Haizhou Yin, Huilong Zhu, Hefei Wang, Feng Yuan // Solid-State and Integrated Circuit Technology : 10th IEEE Int. Conf. ICSICT, 1–4 Nov. 2010, Shanghai : proc. — IEEE, 2010. — P. 1820–1822. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/ICSICT.2010.5667687.

Modeling and circuit synthesis for independently controlled double gate FinFET devices / Animesh Datta, Ashish Goel, Riza Tamer Cakici, Hamid Mahmoodi, Dheepa Lekshmanan, Kaushik Roy // IEEE Trans. CAD Integr. Circuits Syst. — Nov. 2007. — Vol. 26, No. 11. — P. 1957–1966. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TCAD.2007.896320.

Rostami M. Dual-Vth independent-gate FinFETs for low power logic circuits / Masoud Rostami, Kartik Mohanram // IEEE Trans. CAD Integr. Circuits Syst. — Mar. 2011. — Vol. 30, No. 3. — P. 337–339. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TCAD.2010.2097310.

Shanavas I. H. An analogous computation of different techniques for the digital implementation of inverter and NAND logic gates / I. Hameem Shanavas, M. Brindha, V. Nallusamy // Int. J. Inf. Eng. Electronic Business. — Aug. 2012. — Vol. 4, No. 4. — P. 33–38. — URL : http://www.mecs-press.org/ijieeb/ijieeb-v4-n4/v4n4-5.html.

High-density reduced-stack logic circuit techniques using independent-gate controlled double-gate devices / Meng-Hsueh Chiang, Keunwoo Kim, Ching-Te Chuang, C. Tretz // IEEE Trans. Electron Devices. — Sep. 2006. — Vol. 53, No. 9. — P. 2370–2377. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.881052.

Design of high-performance digital logic circuits based on FinFET technology / V. Narendar, Wanjul Dattatray R, Sanjeev Rai, R. A. Mishra // Int. J. Computer Applications. — Mar. 2012. — Vol. 41, No. 20. — P. 40–44. — DOI : http://dx.doi.org/10.5120/5812-8104.

Deepak L. A. Design and implementation of 32nm FINFET based 4x4 SRAM cell array using 1-bit 6T SRAM / Lourts A. Deepak, Likhitha Dhulipalla // Nanoscience, Engineering and Technology : Int. Conf. ICONSET, 28–30 Nov. 2011, Chennai : proc. — IEEE, 2011. — P. 177–180. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/ICONSET.2011.6167948.

Leakage current: Moore’s law meets static power / N. S. Kim, T. Austin, D. Baauw, T. Mudge, K. Flautner, J. S. Hu, M. J. Irwin, M. Kandemir, V. Narayanan // Computer. — Dec. 2003. — Vol. 36, No. 12. — P. 68–75. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/MC.2003.1250885.

Tawfik S. A. Low-power and compact sequential circuits with independent-gate FinFETs / Sherif A. Tawfik, Volkan Kursun // IEEE Trans. Electron Devices. — Jan. 2008. — Vol. 55, No. 1. — P. 60–70. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TED.2007.911039.

Raj B. Nanoscale FinFET based SRAM cell design: Analysis of performance metric, process variation, underlapped FinFET, and temperature effect / Balwinder Raj, A. K. Saxena, S. Dasgupta // IEEE Circuits and Systems Magazine. — 2011. — Vol. 11, No. 3. — P. 38–50. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/MCAS.2011.942068.

Retdian N. Voltage controlled ring oscillator with wide tuning range and fast voltage swing / N. Retdian, S. Takagi, N. Fujii // IEEE Asia-Pacific Conf. : ASIC, 2002. — IEEE, 2002. — P. 201–204. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/APASIC.2002.1031567.

The optimal design of 15 nm gate-length junctionless SOI FinFETs for reducing leakage current / Xi Liu, Meile Wu, Xiaoshi Jin, Rongyan Chuai, Jung-Hee Lee, Jong-Ho Lee // Semicond. Sci. Tech. — 2013. — Vol. 28, No. 10. — P. 105013. — DOI : http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/28/10/105013.

Опубліковано

2014-12-07

Як цитувати

Кушвах, Р. С., Чаухан, М., Шривастава, П., & Акеше, Ш. (2014). Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 57(12), 43–51. https://doi.org/10.20535/S0021347014120048

Номер

Розділ

Оригінальні статті