Исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна

Автор(и)

  • Дмитрий Александрович Усанов журнал "Известия вузов. Радиоэлектроника", Російська Федерація
  • Сергей Сергеевич Горбатов Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, Російська Федерація
  • Владимир Юрьевич Кваско Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347013110034

Ключові слова:

арсенид-галлиевый диод Ганна, ближнеполевой сканирующий СВЧ-микроскоп, стационарный домен, уравнение Пуассона, контактный зонд, двойной электрический слой, интенсивность электрического поля

Анотація

Проведен численный расчет стационарного распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна для одномерного случая, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в диодах Ганна. Численные результаты качественно согласуются с проведенным экспериментом.

Посилання

Пореш С. Б. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна / С. Б. Пореш, А. С. Танер, А. А. Кальфа // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1976. — № 10. — С. 19–31. — (Серия 1, Электроника СВЧ).

Wang Y. Modulation of multidomain in AlGaN/GaN HEMT-like planar Gunn diode / Y. Wang, L.-A. Yang, W. Mao, S. Long, Y. Hao // IEEE Trans. Electron Devices. — 2013. — Vol. 60, No. 5. — P. 1600–1606. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2250976">10.1109/TED.2013.2250976.

Пат. 2373545 C1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, А. Н. Сорокин, В. Ю. Кваско. — № 2008122332/28 ; заявл. 03.06.2008 ; опубл. 20.11.2009.

Усанов Д. А. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма—емкостная диафрагма» / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско // Радиоэлектроника. — 2010. — № 6. — С. 66–69. — (Известия вузов России). — Режим доступа : http://www.eltech.ru/assets/files/university/izdatelstvo/radioelektronika/2010-06.pdf">http://www.eltech.ru/assets/files/university/izdatelstvo/radioelektronika/2010-06.pdf.

Murayama K. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification / Kimio Murayama, Tadahiro Ohmi // Japan. J. Appl. Phys. — 1973. — Vol. 12, No. 12. — P. 1931–1940. — DOI : http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.12.1931">10.1143/JJAP.12.1931.

Барейкис В. Электроны в полупроводниках : Вып. 3 : Диффузия горячих электронов / В. Барейкис, А. Матуленис, Ю. Пожела, [и др.] ; под ред. Ю. Пожелы. — Вильнюс : Мокслас, 1981. — 212 с.

Адирович Э. И. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Э. И. Адирович, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Леидерман ; под ред. Е. И. Гальперина. — М. : Сов. радио, 1978. — 320 с.

Усанов Д. А. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполеого СВЧ-микроскопа / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско // Электроника. — 2013. — № 2. — С. 77–82. — (Известия вузов).

Опубліковано

2013-11-25

Як цитувати

Усанов, Д. А., Горбатов, С. С., & Кваско, В. Ю. (2013). Исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 56(11), 25–32. https://doi.org/10.20535/S0021347013110034

Номер

Розділ

Оригінальні статті