Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения

Автор(и)

  • Ахмат Зайнидинович Рахматов Открытое Акционерное общество "FOTON", Узбекистан
  • Дмитрий Александрович Петров Торговый Дом "ФОТОН-У", Україна
  • Абдулазиз Вахитович Каримов Физико-технический институт научно-производственное объединение "Физика-Солнце" Академии наук Узбекистана, Узбекистан
  • Дильбара Мустафаевна Ёдгорова Физико-технический институт научно-производственное объединение "Физика-Солнце" Академии наук Узбекистана, Узбекистан
  • Оубек Абдуллазизович Абдулхаев Физико-технический институт научно-производственное объединение "Физика-Солнце" Академии наук Узбекистана, Узбекистан

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347012070060

Ключові слова:

нейтронное облучение, напряжение пробоя, ограничитель напряжения

Анотація

Экспериментально проведены исследования зависимости напряжения пробоя от нейтронного облучения кремниевых ограничителей напряжения. Установлено, что с увеличением дозы облучения от 0,1х1014 до 2х1015 Н/см2 напряжение пробоя монотонно увеличивается — чем меньше напряжение пробоя, тем больше необходима доза облучения для обеспечения номинального расчетного напряжения пробоя. Предложены тестовые кривые, которые возможно использовать для стабилизации (приведения к единому значению) напряжения пробоя образцов с технологическим разбросом.

Посилання

Осипов А. В. Стабилизаторы напряжения / А. В. Осипов. — Режим доступа : http://www.shematehnik.com/?section=begun&page=stab.

Кольцов И. Стабилитроны и устранение их недостатков / И. Кольцов // Схемотехника. — 2001. — № 1. — С. 15–17.

Колосов В. «Убийцы» электронной аппаратуры — электрические сети / В. Колосов // Живая электроника России. Приборы и системы. — 2000. — Т. 1. — С. 50–53.

Павлов В. Условия обеспечения длительной надежной работы ограничителей напряжения / В. Павлов, А. З. Рахматов, С. П. Скорняков // Компоненты и технологии. — 2008. — № 4. — С. 118–119.

Скорняков С. П. Ограничители напряжения / С. П. Скорняков, А. З. Рахматов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. — 1991. — Вып. 2. — С. 53–61.

Рахматов А. З. Импульсная стойкость кремниевых ограничителей напряжения / А. З. Рахматов, С. П. Скорняков, С. З. Зайнабиддинов // Рост, свойства и применение кристаллов : V респ. науч. конф., 11–12-апрель 2008 : матер. конф. — Андижан, 2008. — С. 120–125.

Коршунов Ф. П. Радиационные эффекты в технологии полупроводниковых материалов и приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский. — Режим доступа : http://physics.by/e107_files/mono/ book.

Пат. № 5328 РУз. Способ изготовления кремниевых ограничителей напряжения / А. Ф. Муратов, А. З. Рахматов, А. А. Меркулов, И. Р. Исмоилов. — Опубл. 30.09.1994, Бюл. № 3.

Пат. № IAP03974 РУз. Инжекционно-полевой фотодиод / Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов, Ф. М. Ашрапов, Ж. А. Эргашев, А. А. Якубов // Официальные ведомости. — 2009. — № 7.

Опубліковано

2012-07-06

Як цитувати

Рахматов, А. З., Петров, Д. А., Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., & Абдулхаев, О. А. (2012). Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 55(7), 53–56. https://doi.org/10.20535/S0021347012070060

Номер

Розділ

Оригінальні статті