Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех

Автор(и)

  • Анатолий Михайлович Бобрешов Воронежский государственный университет, Російська Федерація https://orcid.org/0000-0002-5429-3780
  • И. С. Коровченко Воронежский государственный университет, Російська Федерація
  • Владислав А. Степкин Воронежский государственный университет, Російська Федерація https://orcid.org/0000-0002-3616-3974
  • Григорий Константинович Усков Воронежский государственный университет, Російська Федерація https://orcid.org/0000-0001-8250-2511

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347011120053

Ключові слова:

электромагнитная совместимость, сверхкороткий видеоимпульс, малошумящий усилитель, полевой транзистор с затвором Шоттки, автоматизированные измерения

Анотація

Предложены характеристики электромагнитной совместимости входных малошумящих усилителей при воздействии последовательности сверхкоротких видеоимпульсов и методика их измерения. Описан автоматизированный измерительный комплекс, реализующий данную методику. На основании измеренных экспериментальных зависимостей предложены способы оптимизации работы малошумящего усилителя при воздействии импульсных помех.

Посилання

  1. Антоненко В. В. Оптимизация характеристик ЭМС транзисторных каскадов выбором режимов работы транзистора / В. В. Антоненко [и др.] // Твердотельная электроника сверхвысоких частот. — 1990. — № 3. — С. 17–20.
  2. Бобрешов А. М. Адаптация характеристик электромагнитной совместимости многокаскадных усилителей на полевых транзисторах / А. М. Бобрешов, А. М. Зверев, Ю. Н. Нестеренко // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 71–74.
  3. Алгазинов Э. К. Малошумящий усилитель на полевом транзисторе при различных электрических режимах работы / Э. К. Алгазинов, А. М. Бобрешов, О. А. Иркутский // Электроника. — 1998. — № 4. — С. 50–54. — (Известия вузов).
  4. Бобрешов А. М. Экспериментальное определение стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам / А. М. Бобрешов [и др.] // ПТЭ. — 2007.— № 5. — С. 108–113.
  5. Бобрешов А. М. Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях / А. М. Бобрешов [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2008. — Т. 11, № 3. — С. 60–68.
  6. Антипин В. В. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В. В. Антипин [и др.] // Зарубежная радиоэлектроника. — 1995. — № 1. — С. 37–53.
  7. Антипин В. В. Деградация малошумящих СВЧ полевых транзисторов с затвором Шотки на арсениде галлия при воздействии мощных импульсных микроволновых помех / В. В. Антипин [и др.] // Радиотехника. — 1994. — № 8. — С. 34–38.
  8. Совместимость технических средств электромагнитная. Приборы СВЧ. Усилители малошумящие. Параметры и характеристики. Методы измерения : ГОСТ 29180–91 — введ. 01.07.92.
  9. Bobreshov A. M. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultra–short pulses / A. M. Bobreshov [et al.] // Electromagnetic Compatibility : 2009 20th International Zurich Symposium. — 2009. — P. 389–392.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-12-14

Як цитувати

Бобрешов, А. М., Коровченко, И. С., Степкин, В. А., & Усков, Г. К. (2011). Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 54(12), 40–45. https://doi.org/10.20535/S0021347011120053

Номер

Том 54 № 12 (2011)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2011 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника