Эффективное использование силовых модулей в преобразователе энергии с микропроцессорным управлением
DOI:
https://doi.org/10.20535/S002134701008008XКлючові слова:
широтно-импульсная модуляция, микропроцессорное управление, IGBT транзистор, MOSFET транзистор, рассеиваемая мощность, статические потери, преобразователь энергии, pulse-width modulation, microprocessor control, IGBT transistor, MOSFET transistorАнотація
При разработке преобразователей энергии с использованием широтно-импульсной модуляции возникают проблемы связанные с согласованием уровней и формы импульсов, генерируемых микроконтроллером, с сигналами управления входами силовых транзисторов. В статье рассмотрен метод решения данного вопроса.
Посилання
- Козаченко В. Основные тенденции развития встроенных систем управления двигателями и требования к микроконтроллерам / В. Козаченко // Chip News: Инженерная микроэлектроника. — 1999. — № 1. — C. 2–9.
- Hermwille M. Plug and play IGBT driver cores for converters / M. Hermwille // Power Electronics Europe. — 2006. — No. 2. — P. 10–12.
- IGBT Design Guide, IGBT–4 // International Rectifier. — April 2003. — Vol. 1.
- Хермвиль М. Управление изолированным затвором IGBT. Основные положения : ч. 1 / М. Хермвиль, А. Колпаков // Новости Электроники. — 2008. — № 11.
- Кулик М. В. Согласование силовых IGBT модулей с микроконтроллером / М. В. Кулик, А. С. Манукян // Сборник научных трудов Днепродзержинского государственного технического университета (технические науки). — 2009. — Т. 11, вып. 1. — С. 158–163.
Опубліковано
2010-08-08
Як цитувати
Рязанцев, О. В., Кулик, М. В., & Манукян, А. С. (2010). Эффективное использование силовых модулей в преобразователе энергии с микропроцессорным управлением. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 53(8), 55–59. https://doi.org/10.20535/S002134701008008X
Номер
Розділ
Оригінальні статті
