Построение СВЧ усилителя класса Е на SiC транзисторе с большим сопротивлением в открытом состоянии

Автор(и)

  • Владимир Григорьевич Крыжановский Донецкий национальный университет, Україна https://orcid.org/0000-0002-2685-9740
  • Денис Григорьевич Макаров Донецкий национальный университет, Україна
  • Андрей Александрович Кищинский ЗАО "Микроволновые системы", Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347010060026

Ключові слова:

усилитель класса Е, SiC транзистор, КПД, сопротивление в открытом состоянии, class E amplifier, SiC transistor, efficiency on state resistance

Анотація

Проведено теоретическое и экспериментальное исследование широкополосного усилителя класса Е на SiC ПТШ в микрополосковом исполнении с учетом сопротивления транзистора в открытом состоянии. Полученные экспериментально зависимости КПД и полосы пропускания находятся в хорошем соответствии с результатами теоретического расчета.

Посилання

Sayed A. Two–stage ultrawide–band 5–W power amplifier using SiC MESFET / A. Sayed, G. Boeck // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — 2005. — Vol. 53, No. 7. — P. 2441–2449.

Кищинский А. А. Усилители мощности диапазона 0,8–2,5 ГГц на SiC-транзисторах / А. А. Кищинский // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 16-я международная Крымская конференция, Севастополь, 11–15 сентября 2006 : материалы конф. — Севастополь : Вебер, 2006. — С. 171–172.

Franco M. Class–E silicon carbide VHF amplifier / M. Franco, A. Katz // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — June, 2007. — P. 19–22.

Крыжановский В. Г. Транзисторные усилители с высоким КПД / В. Г. Крыжановский. — Донецк : Апекс, 2004. — 448 с.

Pengelly R. S. A comparison between class E power amplifiers employing LDMOS FETs and SiC MESFETs / R. S. Pengelly // Wireless and Microwave Tech Conf. IEEE. — 2004. — P. 1–4.

Пат. № 23407, Україна. Надвисокочастотний підсилювач класу Е. / Крыжановский В. Г., Принцовский В. А., Бабко Д. В., Пожидаев И. А ; заяв. № 200613546, 20.12.2006 ; опубл. 25.05.2007, Бюл. № 7.

Makarov D. G. SIC MESFET class E microwave power amplifier / D. G. Makarov, V. A. Printsovskii, V. G. Krizhanovski, A. A. Kistchinsky // Radar and Wireless Communication : XVII Int. Conf. of Microwaves. MIKON–2008, May 19–21, 2008, Poland, Wroclaw : conf. proc. — Wroclaw, 2008. — Vol. 3. — P. 591–593.

Крыжановский В. Г. СВЧ усилитель класса Е в микрополосковом исполнении / В. Г. Крыжановский, В. А. Принцовский // Радиоэлектроника. — 2005. — Т. 48, № 1. — С. 3–10. — (Известия вузов).

Крыжановский В. Г. Цепь фильтрации гармоник в СВЧ усилителе мощности класса Е с расширенной полосой / В. Г. Крыжановский, В. А. Принцовский // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 17-я междунар. Крымская конф., Севастополь, 10–14 сентября 2007 : материалы конференции. — Севастополь : Вебер, 2007. — С. 58–59.

Alinikula P. Optimum component values for a lossy Class E power amplifier / P. Alinikula // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., Piscataway, NJ, USA. — 2003. — Vol. 3. — P. 2145–2148.

Sayed A. Ultra Wideband 5 W Hybrid Power Amplifier Design Using Silicon Carbide MESFETS / A. Sayed // Thesis on Master of Engineering. — Режим доступа : http://edocs.tu–berlin.de/diss/2005/sayed_ahmed.pdf. — P. 143.

Angelov I. An empirical table–based FET model / I. Angelov, N. Rorsman, J. Stenarson, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — 1999. — Vol. 47. — P. 2350–2357.

Krizhanovski V. G. A Microstrip version of class-E microwave amplifier / V. G. Krizhanovski, V. A. Printsovskii // Radioelectron. Commun. Syst. — 2005. — Vol. 48, No. 1. — P. 1–8.

Опубліковано

2010-06-02

Як цитувати

Крыжановский, В. Г., Макаров, Д. Г., & Кищинский, А. А. (2010). Построение СВЧ усилителя класса Е на SiC транзисторе с большим сопротивлением в открытом состоянии. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 53(6), 13–21. https://doi.org/10.20535/S0021347010060026

Номер

Розділ

Оригінальні статті