Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов шоттки TiBx–n–6HSiC
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347010010103Ключові слова:
диод Шоттки, барьер Шоттки, ток насыщения, Shottkey diodeАнотація
Исследованы температурные зависимости прямой ветви вольтамперной характеристики диодов Шоттки TiBx–n–6HSiC. Обнаружено, что в интервале температур 100–500 K прямая ветвь ВАХ в диапазоне напряжений 0,05–0,4 В описывается экспоненциальной зависимостью. При этом ток насыщения и характеристическая энергия слабо зависят от температуры. Показано, что избыточная компонента тока карбидкремниевых диодов Шоттки носит туннельный характер, несмотря на то, что ОПЗ в исследованных диодах существенно больше характерной длины туннелирования.
Посилання
- Евстропов В. В. Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p–n- и m–s-структурах AIIIBV на Si / В. В. Евстропов, Ю. В. Жиляев, М. Джумаева, Н. Назаров // ФТП. — 1997. — Т. 31, № 2. — С. 152.
- Евстропов В. В. Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p–n-структурах на основе GaP / В. В. Евстропов, М. Джумаева, Ю. В. Жиляев и др. // ФТП. — 2000. — Т. 34, № 11. — С. 1357.
- Беляев А. Е. О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов // ФТП. — 2008. — Т. 42, № 6. — С. 706.
- Кудрик Я. Я. Вплив активних обробок на процеси формування та властивості омічних та бар’єрн контактів до карбіду кремнію : автореф. дис. на здобуття наукового ступеня к. т. н. : 05.27.2006 / Я. Я. Кудрик. — К. : ІФН ім. В. Е. Лашкарьова НАНУ, 2004. — 16 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов : Ч. 1 / С. Зи. — М. : Мир, 1984. — 456 с.
Опубліковано
2010-01-10
Як цитувати
Кудрик, Я. Я., & Абдижалиев, С. К. (2010). Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов шоттки TiBx–n–6HSiC. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 53(1), 62–64. https://doi.org/10.20535/S0021347010010103
Номер
Розділ
Оригінальні статті
