Расчет параметров дрейфовых n-p-n транзисторов по выходным характеристикам

Автор(и)

  • Александр Николаевич Фролов Херсонский национальный технический университет, Україна
  • Константин Александрович Фролов Херсонский национальный технический университет, Україна
  • Евгений Александрович Баганов Херсонский национальный технический университет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347009090027

Анотація

Описана методика оценки физических параметров структуры транзистора для получения заданной совокупности его основных электрических параметров. Предложенная методика основана на применении полуэмпирических формул, полученных статистической обработкой большого количества экспериментальных данных и позволяет определять параметры структуры транзистора с наиболее оптимальным сочетанием значений коэффициента усиления по току, напряжения пробоя и предельной частоты. Методика подтверждена многочисленными экспериментальными результатами.

Посилання

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Кн.1 / С. Зи — М.: Мир, 1984. — 456 с.
  2. Маллер Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс — М.: Мир, 1989. — 630 с.
  3. Samoilov N. A. Operational estimate of the impurity concentration in the emitter in designing n–p–n drift transistors / N. A. Samoilov, A. N. Frolov, S. V. Shutov // Tech. Phys. Lett. — 1996. — V. 22 (4). — P. 281–282.
  4. Самойлов Н. А. Методика оперативной оценки пробивного напряжения npn-транзисторов / Н. А. Самойлов, А. Н. Фролов, С. В. Шутов // Петербургский журнал электроники. — 1996. — № 4. — C. 42–45.
  5. Самойлов Н. А. Пробивные напряжения pn-переходов в планарных транзисторах / Н. А. Самойлов, А. Н. Фролов, С. В. Шутов // Петербургский журнал электроники. — 1999. — № 1. — С. 44–46.
  6. Кремниевые планарные транзисторы / под ред. Федотова Я. А. — М.: Сов. Радио, 1973. — 336 с.
  7. Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов / А. Ф. Трутко — М.: Энергия, 1971. — 272 с.
  8. Frolov A. N. Evaluation of the drift n–p–n–transistor base thickness by its gain factor / A. N. Frolov, S. V. Shutov, A. M. Shershen, // Radioelectronics and communications systems. — 2001. — Vol 44(12). — P. 38–40.
  9. Maronchuk I. E. Determination of the base thickness of a drift transistor by «punch–through» voltage / I.E. Maronchuk, A. N. Frolov, S. V. Shutov // Radio electronics and communications systems. — 2001. — Vol 44 (11). — P. 46–49.

Опубліковано

2009-09-02

Як цитувати

Фролов, А. Н., Фролов, К. А., & Баганов, Е. А. (2009). Расчет параметров дрейфовых n-p-n транзисторов по выходным характеристикам. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 52(9), 10–17. https://doi.org/10.20535/S0021347009090027

Номер

Том 52 № 9 (2009)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника