Модификация свойств контактов Au–Ti(W, Cr, TiВх)–GaAs внешними воздействиями

Автор(и)

  • Амангелди Базарбаевич Камалов Комплексный институт естественных наук каракалпакское отделение академии наук республики Узбекистан, Узбекистан

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134700903008X

Анотація

Рассмотрено влияние гамма-облучения 60Со, микроволновой и ультразвуковой обработок на электрофизические свойства и релаксацию внутренних механических напряжений в контактах Au–Ti(W, Cr, TiВх)–GaAs изготовленных на пластинах GaAs, содержащих n–n+ структуры GaAs. Обнаружена корреляция между радиусом кривизны пластин GaAs и параметрами контактов. Экспериментально показано, что изменение электрофизических параметров диодов с барьером Шоттки на основе GaAs, обусловлено релаксацией внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых структурах с контактами.

Посилання

Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г., Тхорик Ю. А., Шаховцов В. И. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5. — К. : ИФ АН УССР, 1986. — 68 с. — (Препринт № 6).

Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Литовченко В. Г., Мищук О. Н. К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках А3В5 // ФТП. — 1989. — Т. 23, В 2. — С. 207–212.

Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах // под ред. Ю. А. Тхорика. — К. : Феникс, 1994. — 247 c.

Мамонтов А. П., Чернов И. П. Эффект малых доз ионизирующего излучения. — М. : Энергоатомиздат, 2001. — 286 c.

Шаховцов В. И. Исследование радиационных эффектов в неоднородных структурах твердотельной электроники // Автореферат диссертации на соискание ученой степени д.ф.м.н. — К. : ИФП НАНУ, 1993. — 30 c.

Камалов А. Б. Влияние гамма и СВЧ излучения на электрофизические характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au–Ti–GaAs // Материалы 6-й Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». 28–30 сентября 2005. Минск, Беларусь. — С. 375–377.

Belyaev A. E., Venger E. F., Ermolovich I. B., Konakova R. V., Lytvyn P. M., Milenin V. V., Prokopenko I. V., Svechnikov G. S., Soloviev E. A., Fedorenko L. L. Effect of microwave and laser radiation on the parameters of semiconductor structures. — Kiev : Intas, 2002. — 192 p.

Быков Ю. В., Еремеев А. Г., Пашков В. И., Перевощиков В. А., Скупов В. Д. Геттерирование примесей и дефектов в кремнии при обработке в СВЧ-поле // Депон. ВИНИТИ № 2322-В91. — Нижний-Новгород, 1991. — 14 c.

Быков Ю. В., Еремеев А. Г., Жарова Н. А., Плотников И. В., Рыбаков К. И., Дроздов М. Н., Дроздов Ю. Н., Скупов В. Д. Диффузионные процессы в полупроводниковых структурах при микроволновом отжиге // Известия вузов. Радиофизика. — 2003. — Т. XLVI, № 8–9. — С. 836–843.

Болтовец Н. С., Камалов А. Б., Колядина Е. Ю., Конакова Р. В., Литвин П. М., Литвин О. С., Матвеева Л. А., Миленин В. В., Ренгевич А. Е. Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой // Письма в ЖТФ. — 2002. — Т. 28, В. 4. — С. 57–64.

Камалов А. Б., Олих Я. М. Обратимые изменения электрофизических параметров диодов Шоттки Au–TiN–n–n + –GaAs c помощью ультразвуковой обработки // Труды 5-й международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе» 5–8 декабря 2005. Баку. Азербайджан. — С. 299–302.

Опубліковано

2009-03-08

Як цитувати

Камалов, А. Б. (2009). Модификация свойств контактов Au–Ti(W, Cr, TiВх)–GaAs внешними воздействиями. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 52(3), 71–77. https://doi.org/10.20535/S002134700903008X

Номер

Розділ

Оригінальні статті