Оптимальный профиль входных контактов аттенюаторной пластины на основе распределенных резистивных структур

Автор(и)

  • Виктор Дмитриевич Садков Нижегородский государственный технический университет, Російська Федерація
  • Валерий Николаевич Уткин Нижегородский государственный технический университет, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347008120078

Анотація

Результаты расчетов и экспериментов показывают, что наибольшие значения градиентов потенциалов и выделяющейся мощности имеют место вблизи входного контакта, что снижает уровень допустимой рассеиваемой мощности. Ниже предлагается методика, позволяющая найти оптимальный профиль входных контактов и обеспечивающая более чем двойное увеличение рассеиваемой пластиной мощности.

Посилання

Miniature Hubrid microwave integrated circuits : Проспект фирмы Nanowave Technologies Inc., 2006.

Полубаринова-Кочина П. Я. Теория движения грунтовых вод / П. Я. Полубаринова-Кочина. — М. : Наука, 1977.

Садков В. Д. Расчет и юстировка тонкопленочных звеньев затухания / В. Д. Садков // Известия вузов МВиССО СССР. Радиоэлектроника. — 1977. — Т. 20, № 9. — С. 115–118. — ISSN 0021-3470.

Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / под ред. В. И. Вольмана. — М. : Радио и связь, 1982. — 306 с.

Опубліковано

2008-12-07

Як цитувати

Садков, В. Д., & Уткин, В. Н. (2008). Оптимальный профиль входных контактов аттенюаторной пластины на основе распределенных резистивных структур. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(12), 65–68. https://doi.org/10.20535/S0021347008120078

Номер

Розділ

Оригінальні статті