Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора с гетеропереходом

Лариса Ивановна Аверина; Анатолий Михайлович Бобрешов; Александр Ильич Курашов

doi:10.20535/S0021347008120030

Автор(и)

Лариса Ивановна Аверина Воронежский государственный университет, Російська Федерація
Анатолий Михайлович Бобрешов Воронежский государственный университет, Російська Федерація https://orcid.org/0000-0002-5429-3780
Александр Ильич Курашов Воронежский государственный университет, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347008120030

Анотація

На основе шумовой малосигнальной модели с помощью аппарата рядов Вольтерры проанализировано влияние температуры на нелинейные, усилительные и шумовые свойства малошумящего СВЧ усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при различных режимах его работы. На основе полученных зависимостей даны практические рекомендации по выбору питания транзистора при различных температурах для оптимизации его работы.

Посилання

Linearity and Power Characteristics of SiGe HBTs at High Temperatures for RF Applications / Chen K.–M., Peng A.–S., Huang G.–W. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. — July 2005. — Vol. 52, No. 7. — P. 1452–1456.
Khan A. Thermal Characterization and Analysis of Two Tone Intermodulation Distortion in InGaP/GaAs DHBT / A. Khan, C. N. Dharmasiri, T. Miura, A. A. Rezazadeh // GaAs and Other semiconductor Application Symp., 3–4 Oct. 2005. — P. 209–212.
Banerjee B. Broadband Noise Modeling of SiGe HBT under Cryogenic Temperatures / B. Banerjee, S. Venkataraman, C.–H. Lee, J. Laskar // Radio–Frequency Integrated Circuits Symp., IEEE, 3–5 June 2007. — P. 765–768.
Богданович Б. М. Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах / Б. М. Богданович. — М. : Связь, 1980. — 280 с.
Chee–Mun. Analysis of the Temperature Dependence of Current Gain in Heterojunction Bipolar Transistors / Chee–Mun, A. Peter, Ho–Kwang Yow // IEEE Trans. Electron Devices. — Jan. 1997. — Vol. 44, No. 1. — P. 17–24.