Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347008110071Анотація
Предложена экспериментальная регрессионная модель зависимости КПД кремниевых монокристаллических фотопреобразователей от диодных (фактор неидеальности A, последовательное сопротивление Rп, ток насыщения I0) и технологических (толщина подложки h, толщина легирующего слоя жидкорастворной (ЖРК) композиции hЖРК) параметров в условиях малой (6–12) партии образцов на основе уравнения регрессии 1-го порядка. Проверка адекватности моделей выполнена по F-критерию Фишера. С помощью уравнений регрессии выполнен поиск оптимальных диодных и технологических параметров по критерию максимума КПД.
Посилання
- Львович Я. Е. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЕА / Я. Е. Львович, В. Н. Фролов. — М. : Радио и связь, 1980. — 192 с.
- Тонкие текстурированные кремниевые фотопреобразователи с улучшенными массомощностными характеристиками / В. А. Антонова, В. Н. Борщев, В. Р. Копач [и др.] // Радиотехника : Всеукр. межвед. научн.-техн. сб. — 2004. — № 139. — С. 113–119.
- Слипченко Н. И. Анализ информативности диодных параметров кремневых фотоопребразователей / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Н. Н. Яновская, А. В. Фролов // Восточно-европейский журнал передовых технологий. — 2007. — № 6/2(30). — С. 30–36.
- Физико-технологические особенности формирования тыльноконтактных фотопреобразователей / В. А. Антонова, В. Н. Борщев, В. Р. Копач [и др.] // Радиотехника : Всеукр. межвед. научн.-техн. сб. — 2004. — № 137. — С. 148–152.
##submission.downloads##
Опубліковано
2008-11-07
Як цитувати
Слипченко, Н. И., Письменецкий, В. А., Фролов, А. В., & Яновская, Н. Н. (2008). Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(11), 41–49. https://doi.org/10.20535/S0021347008110071
Номер
Розділ
Оригінальні статті
