Моделирование влияния прямого напряжения на усиление транзистора с узкой базой

Автор(и)

  • Сергей Леонидович Хрипко Гуманитарный университет "Запорожский институт государственного и муниципального управления", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134700807008X

Анотація

Получены уравнения, которые описывают влияние прямого напряжения эмиттер–база биполярного транзистора с узкой базой на коэффициент усиления по току. Результаты позволяют использовать модель для расчета процессов переноса заряда.

Посилання

Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. — М. : Мир, 1984. — 456 с.

Маллер Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. — М. : Мир, 1989. — 630 с.

Rofail S. S. Minority current in base region of bipolar transistors under high-level injection conditions / S. S. Rofail // IEEE Trans. Electron Devices. — 1982. — Vol. ED–29, No. 10. — Р. 1634–1637.

Старосельский В. И. Моделирование гетеропереходных транзисторов методом Гуммеля–Пуна / В. И. Старосельский // Микроэлектроника. — 1996. — Т. 25, № 4. — С. 277–280.

Robinston D. J. Simplified computer-aided analysis of double diffused transistors including two-dimensional high level effects / D. J. Robinston, S. G. Chamberlain, J. Sehgal // IEEE Trans. Electron Devices. — 1972. — Vol. ED–19, No. 5. — Р. 809–820.

Кремниевые планарные транзисторы / под ред. Я. А. Федoтова. — М. : Сов. радио, 1973. — 336 с.

Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. Блихер. — Л. : Энергоатомиздат, 1986. — 248 с.

Dhariwal S. R. Some simple observations on the bandgap narrowing in heavily doped silicon / S. R. Dhariwal, V. N. Ojha // Solid State Electronics. — 1985. — Vol. 28, № 8. — P. 845–846.

Kleppenger D. D. Impurity concentration dependent density of states and resulting Fermi level for silicon / D. D. Kleppenger, F. A. Lindholm // Solid-State Electronics. — 1971. — Vol. 14, No. 5. — P. 407–411.

Lanyon H. P. Bandgap narrowing in moderately to heavily doped silicon / H. P. Lanyon, R. A. Tuft // IEEE Trans. Electron Devices. — 1979. — Vol. ED–26, No. 7. — P. 1014–1018.

Slotboom W. Measurement of bandgap narrowing in silicon bipolar transistors / W. Slotboom, H. C. De-Graaf // Solid-State Electronics. — 1976. — Vol. 9, No. 5. — P. 857–862.

Опубліковано

2008-07-08

Як цитувати

Хрипко, С. Л. (2008). Моделирование влияния прямого напряжения на усиление транзистора с узкой базой. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(7), 74–80. https://doi.org/10.20535/S002134700807008X

Номер

Розділ

Оригінальні статті