Особенности фоточувствительности полевого фототранзистора с p–n-переходом, канал которого легирован оловом
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347008050087Анотація
Приведены результаты исследования полевого фототранзистора на основе арсенида галлия с каналом легированным оловом. Экспериментально показано, что в отличие от традиционных фототранзисторов, канал которых легирован теллуром, фототоки затвора от запирающего напряжения остаются неизменными, а от интенсивности освещения возрастают. При этом интегральная фоточувствительность плавно управляется рабочими напряжениями и достигает высоких значений, как по току 8,26×102 А/Вт, так и по напряжению 1,3×108 В/Вт.
Посилання
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия : пер с англ. / Шур М. — М. : Мир, 1991. — 632 с.
- Викулин И. М. Магниточувствительные транзисторы / И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев // ФТП. — 2001. — Т. 35, № 1. — С. 3–10.
- Особенности фоточувствительности арсенидгаллиевых структур типа полевого транзистора / С. А. Азимов, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. В. Каримов, М. Мирзабаев // Известия АН УзбССР. — 1979. — № 2. — С. 44–48. — (Серия физ.-мат. наук).
- Исследование фото усилительных свойств арсенид галлиевого полевого транзистора / А. В. Каримов // Известия АН УзССР. Серия физико-математических наук. — 1980. — № 3. — С. 61–63.
- Мирзабаев М. Исследование распределения носителей заряда и подвижности в эпитаксиальных слоях арсенида галлия / М. Мирзабаев, А. В. Каримов, А. В. Абдукадиров // Известия АН УзССР. Серия физико-математических наук. — 1977. — № 2. — С. 52–54.
- А.с. № 166399. Полевой фототранзистор / А. В. Каримов. — Опубл. 08.05.1997.
- Сидоров В. Г. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов на арсениде галлия / В. Г. Сидоров, Д. В. Сидоров, В. И. Соколов // ФТП. — 1998. — Т. 32, № 11. — С. 1393–1398.
- Влияние морфологических неоднородностей на механизмы токопереноса в солнечных элементах на основе гетероструктур / А. В. Каримов, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова [и др.] // Электроника. — Петербург, 2004. — № 4. — С. 25–30.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов : кн. 1 / С. М. Зи. — М. : Мир, 1984. — 456 с.
- Каримов А. В. Многофункциональные арсенид галлиевые тонко переходные структуры / А. В. Каримов. — Ташкент : ФАН, 1992. — 176 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
2008-05-08
Як цитувати
Ёдгорова, Д. М. (2008). Особенности фоточувствительности полевого фототранзистора с p–n-переходом, канал которого легирован оловом. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(5), 65–71. https://doi.org/10.20535/S0021347008050087
Номер
Розділ
Оригінальні статті
