Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки

Автор(и)

  • Амангелди Базарбаевич Камалов Комплексный институт естественных наук каракалпакское отделение академии наук республики Узбекистан, Узбекистан

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347008020040

Анотація

В данной обзорной работе кратко проанализированы литературные данные по влиянию внешних воздействий на электрофизические свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки и их стабильность к внешним воздействиям. Обсуждены радиационные изменения свойств арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки, а также эффекты, связанные с малодозовой обработкой.

Посилання

Радиационные методы в твердотельной электронике / В. С. Вавилов, Б. М. Горин, Н. Данилин [и др.]. — М. : Радио и связь, 1990. — 184 с.

Investigation of radiation defects in GaAs by means of schottky diode characteristics / O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, Yu. A. Tkhorik // Phys. Stat. Sol. (A). — 1978. — Vol. 48, No. 1. — P. K55—K58.

Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / В. В. Болотов, В. А. Коротченко, А. П. Мамонтов [и др.] // ФТП. — 1980. — Т. 14, Вып. 2. — С. 2257–2260.

Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5 / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова [и др.]. — К. : ИФ АН УССР, 1986. — (Препринт / АН УССР, ИФ, № 6, 1986).

Мамонтов А. П. Эффект малых доз ионизирующего излучения / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов. — М. : Энергоатомиздат, 2001. — 286 с.

Вовненко В. И. Радиационная перестройка глубоких центров в барьерных структурах арсенида галлия / В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко // ФТП. — 1987. — Т. 21, № 1. — С. 156–159.

Конакова Р. В. Возможности радиационной технологии при изготовлении диодов / Р. В. Конакова, Ю. А. Тхорик // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. — 1988. — № 2. — С. 47–56.

К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках А3В5 / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, О. Н. Мищук // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 2. — С. 207–212.

О влиянии внутренних механических напряжений на механизм формирования и параметры барьерных структур Cr–GaAs / Ю. Бреза, Р. В. Конакова, В. Г. Ляпин [и др.] // Поверхность. — 1994. — № 6. — С. 103–109.

Статов В. А. Исследование физики межфазных взаимодействий на границе раздела тугоплавкий металл-GaAs : автореф. дис. … к.ф.м.н. / В. А. Статов. — К. : ИФП НАНУ, 1996. — 18 с.

Влияние внешних радиационных, СВЧ и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах / Е. Ф. Венгер, И. Б. Ермолович, В. В. Миленин [и др.] // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 1999. — № 3(75). — С. 60–73.

Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл InP и металл-GaAs / под общ. ред. Р. В. Конаковой и Г. С. Коротченкова. — К. : ИО ИФП НАНУ,1999. —233 с.

Исмайлов К. А. Радиационные эффекты в арсенид-галлиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием гамма и бета излучения / К. А. Исмайлов, А. Б. Камалов, В. А. Статов // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2000. — № 2(79). — С. 63–65.

Межфазные взаимодействия и особенности структурной релаксации в контактах TiBx–n–GaAs(InP, GaP, 6H–SiC), подвергнутых активным обработкам / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Р. В. Конакова [и др.] // ФТП. — 2004. — Т. 38, № 7. — С. 769–774.

Громов Д. В. Радиационные дефекты в СВЧ полупроводниковых приборах на основе арсенида галлия / Д. В. Громов, Г. В. Петров, В. Г. Еленский // Зарубежная радиоэлектроника. — 1980. — № 11. — С. 64–77.

Радиационные эффекты в GaAs полупроводниковых приборах и интегральных схемах / Е. Р. Аствацатурьян, Д. В. Громов, В. В. Елесин [и др.] // Зарубежная электронная техника. — 1988. — № 1. — С. 48–83.

Взаимодействие арсенида галлия с ионизирующим излучением и проблемы радиационной стойкости арсенидгаллиевых приборов / А. В. Бобыль, Р. В. Конакова, В. К. Кононов [и др.] // Электронная техника. Серия 8: Управление качеством и стандартизация. — 1992. — № 3–4. — С. 31–40.

Кияк С. Г. Изменение физических свойств и структуры полупроводников под действием импульсного лазерного излучения / С. Г. Кияк // Известия АН СССР. Серия физическая. — 1982. — Т. 46, № 6. —С. 1090–1097.

Готра З. Ю. Импульсный лазерный отжиг ионноимплантированных полупроводниковых материалов / З. Ю. Готра, С. А. Осередько, Я. В. Бобицкий // Зарубежная электронная техника. — 1983. — № 6. — С. 3–77.

Физико-химические взаимодействия в контактах палладий-арсенид галлия, подвергнутых импульсному лазерному отжигу / А. П. Вяткин, В. П. Воронков, С. М. Кулешов [и др.] // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1986. — № 8. — С. 111–114.

Вольтамперные характеристики контактов Pd–GaAs подвергнутых лазерному отжигу / В. П. Воронков, А. П. Вяткин, Б. В. Иванов [и др.] // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 3. — С. 562–564.

Исследование механизмов разрушения полупроводников мощным лазерным излучением ИК диапазона / Ю. К. Данилейко, Т. Н. Лебедева, А. А. Маненков, А. И. Сидорин // ЖЭТФ. —1978. — Т. 74, № 2. — С. 765–771.

Хайбуллин И. Б. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы / И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов // ФТП. — 1985. — Т. 19, № 4. — С. 569–591.

К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников / В. Н. Абакумов, Ж. И. Алферов, Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной // ФТП. — 1984. — Т. 18, № 12. — С. 2224–2228.

Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs / Г. М. Гусаков, Т. Н. Кондратова, К. С. Канский, А. И. Ларюшин // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 10. — С. 1864–1868.

Лазерное индуцированное образование дефектов в поверхностных слоях материалов А3В5 / А. И. Ефимова, П. К. Кашкаров, В. И. Петров, В. Ю. Тимошенко // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1990. — № 8. — С. 94—100.

Емельянов В. И. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии / В. И. Емельянов, П. К. Кашкаров // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1990. — № 2. — С. 77–85.

Кашкаров П. К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах / П. К. Кашкаров // СОЖ. — 1991. — № 1. — С. 105–112.

Кашкаров П. К. Образование дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге / П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1995. — № 6. — С. 5–34.

Никифоров А. Ю. Физические основы лазерного экспериментального имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых структурах, элементах и микросхемах. Линейная модель / А. Ю. Никифоров, П. К. Скоробогатов // Микроэлектроника. — 2004. — Т. 33. — С. 91–107.

Изменение морфологии поверхности InP, GaAs и InAs под действием лазерного излучения пороговой плотности потока / К. К. Джаманбалин, А. Г. Дмитриев, Э. Н. Сокол-Номоконов, Ю. И. Уханов // ФизХОМ. — 1990. — № 2. — С. 20–23.

Камалов А. Б. Радиационные эффекты в барьерных контактах металл-GaAs / А. Б. Камалов // Петербургский журнал электроники. — 2005. — № 4(45). — С. 40–44.

Physico–chemical processes in the GaAs Schottky diodes stimulated by the gyrotron radiation / R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin [et al.] // Functional Materials. — 1995. — Vol. 2, No. 4. — Р. 47–50.

Влияние импульсных СВЧ полей на время жизни носителей тока в кремнии / Д. Е. Абдурахимов, В. Л. Верещагин, В. П. Калинушкин [и др.] // Краткие сообщения по физике ФИАН. — 1991. — № 6. — С. 27–29.

СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников / А. В. Ржанов, Н. Н. Герасименко, А. В. Васильев, В. И. Ободников // ПЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 20. — С. 1221–1223.

Использование мощного СВЧ излучения для быстрого отжига арсенида галлия / Е. В. Винник, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, М. В. Шевелев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1989. — № 15. — С. 48–50.

Влияние СВЧ излучения на структурные, физико-химические и электрофизические свойства ряда полупроводниковых материалов и приборных структур / А. Е. Беляев, А. А. Беляев, Е. Ф. Венгер [и др.] // СВЧ техника и телекоммуникационные технологии : 6я междунар. Крымская конф., Крым, Украина, 16–19 сентября 1996 : матер. конф. — Севастополь : Вебер, 1996. — С. 71–89.

Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / А. А. Беляев, А. Е. Беляев, И. В. Ермолович [и др.] // ЖТФ. — 1998. — Т. 68, № 12. — С. 49–53.

Влияние внешних радиационных, СВЧ и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах / И. Б. Ермолович, В. В. Миленин, Р. В. Конакова, Г. Е. Чайка // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 1998. — № 1(67), 2(68). — С. 37–39.

Релаксация внутренних механических напряжений в тонкопленочных арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная СВЧ излучением / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Е. Ю. Колядина [и др.] // Тонкие пленки в электронике : 12-й междунар. симп., Харьков, Украина, 2001 : тр. — Харьков, 2001. — C. 313–316.

Эффекты в полупроводниковых структурах стимулированные мощным электромагнитным излучением / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Р. В. Конакова [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : IV междунар. конф., Минск, Белоруссия, 2001 : тр. — Минск, 2001. — С. 114–116.

Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Е. Ю. Колядина [и др.] // ПЖТФ. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 57–64.

Relaxation of Interinsic Stresses in Au–Ti(TiBx)–n–n+–GaAs Surface–Barrier Structures Induced by Microwave Radiation / A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, R. V. Konakova [et al.] // Formation of Semiconductor Interface : 8th Int. Conf., 8–10 June 2001, Sapporo, Japan : abstr. — Sapporo, 2001. — P. 118.

Effect of microwave treatment on the parameters of Au–TiBx–GaAs(SiC 6H) surface–barrier structures / S. K. Abdizhaliev, K. A. Ismailov, A. B. Kamalov, Ya. Ya. Kudrik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2003. — Vol. 6, No. 2. — P. 202–204.

Опубліковано

2008-02-04

Як цитувати

Камалов, А. Б. (2008). Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(2), 31–43. https://doi.org/10.20535/S0021347008020040

Номер

Розділ

Оригінальні статті