Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs

Автор(и)

  • В. В. Миленин Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • Р. А. Редько Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • С. Н. Редько Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347006090093

Анотація

Изучено влияние мощного кратковременного СВЧ излучения (f = 2,45 ГГц) на дефектные состояния монокристаллов GaAs с помощью исследований спектров люминесценции в области 0,6—2,5 мкм при 77 К. Обнаружено, что СВЧ обработка влияет на люминесцентные характеристики кристаллов вследствие изменения концентрации центров излучательной и безызлучательной рекомбинации. Результаты выполненных исследований показывают перспективность использования микроволнового излучения в технологических процессах для модификации примесно-дефектной подсистемы полупроводникового материала.

Посилання

Винник, Е. В.; Гурошев, А. В.; Прохорович, В. И.; Шевелев, М. В. "Использование мощного СВЧ-излучения для быстрого отжига арсенида галлия," Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, № 15, С. 48–50, 1989.

Алферов, Ж. И.; Гарбузо, Д. З.; Жиляев, Ю. В.; и др. "Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев арсенида галлия n-типа," ФТП, Т. 2, № 10, С. 1441–1447, 1968.

Глинчук, Р. Д.; Прохорович, А. В. "Люминесценция арсенида галлия," ПТМ, № 13, С. 16–33, 1973.

Редько, Р. А. "Микроволновое облучение арсенида галлия," Тр. 5 междунар. науч.-техн. конф. Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе, 2005, Баку, Азербайджан. Баку, 2005, С. 154–156.

Ржанов, А. В.; Герасименко, Н. Н.; Васильев, С. В.; Ободников, В. И. "СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников," ПЖТФ, Т. 7, № 20, С. 1221–1223, 1981.

Пашков, В. И.; Перевощиков, В. А.; Скупов, В. Д. "Влияние отжига в поле СВЧ излучения на остаточную деформацию и примесный состав приповерхностных слоев кремния," ПЖТФ, Т. 20, № 8, С. 14–17, 1994. URI: http://journals.ioffe.ru/articles/19581.

Абдурахимов, Д. Е.; Верещагин, В. Л.; Калинушкин, В. П.; Никитин, В. А.; Плоппа, М. Г.; Райзер, М. Д. "Влияние импульсных СВЧ полей на время жизни носителей тока в кремнии," Краткие сообщения по физике, № 6, С. 27–29, 1991. URI: https://ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=2312.

Belyaev, A. E.; Venger, E. F.; Ermolovich, I. B.; et al. Effect of Microwave and Laser Radiations on the Parameters of Semiconductor Structures. К.: Інтас, 2002. 191 р.

Hwang, C. J. "Effect of heat treatment with excess arsenic pressure on photoluminescence of p-type GaAs," J. Appl. Phys., Vol. 39, No. 3, р. 1654-1659, 1968. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1656410.

Chiang, S. Y.; Pearson, G. L. "Photoluminescence studies of vacancies and vacancy-impurity complexes in annealed GaAs," J. Luminescence, Vol. 10, No. 5, р. 313-322, 1975. DOI: https://doi.org/10.1016/0022-2313(75)90054-X.

Kushiro, Y.; Seimiya, T.; Sinbori, O.; Kobayasi, T. "Improved properties of melt-grown GaAs by short-time heat treatment," J. Appl. Phys., Vol. 48, No. 4, р. 1636-1645, 1977. DOI: https://doi.org/10.1063/1.323846.

Горелов, Б. М. "Захват электронов дислокациями в сверхвысокочастотном поле в сульфидах цинка и кадмия," ПЖТФ, Т. 31, № 1, С. 82–87, 2005. URI: http://journals.ioffe.ru/articles/11452.

Опубліковано

2006-09-09

Як цитувати

Миленин, В. В., Редько, Р. А., & Редько, С. Н. (2006). Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 49(9), 77–80. https://doi.org/10.20535/S0021347006090093