Частотные характеристики контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки

Автор(и)

  • А. К. Мамедов Азербайджанский технический университет, Азербайджан

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347006020105

Анотація

Разработана графоаналитическая модель контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки, аппроксимирующая реальные частотные зависимости эквивалентной емкости и сопротивления параллельной схемы замещения, учитывающей сопротивление и емкость контакта и объема, в виде ломаной линии с несколькими изломами.

Посилання

Simmons, J. G.; Nadkarni, G. S.; Lancaster, M. С. "Alternating current electrical properties of highly doped insulating films," J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 2, р. 538-544, 1970. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1658709.

Simmons, J. G.; Wei, L. S. "Theory of transient emission current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters," Solid-State Electronics, Vol. 17, No. 2, р. 117-124, 1974. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(74)90059-8.

Мамедов, А. К. "Температурно-частотные характеристики структур с барьером Шоттки," РАН. Журнал радиоэлектроники. № 10, С. 1–7, 2003. URI: http://jre.cplire.ru/jre/oct03/1/text.html.

Симон, Ж.; Андре, Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники: фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. Пер. с англ. М.: Мир, 1988. 344 с.

Fernandez-Canque, H. L.; Allison, J.; Thompson, M. J. "The capacitance of RF sputtered hydrogenated amorphous silicon, Schottky barrier diodes," J. Appl. Phys., Vol. 54, No. 12, р. 7025-7033, 1983. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.331968.

Опубліковано

2006-02-20

Як цитувати

Мамедов, А. К. (2006). Частотные характеристики контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 49(2), 70–75. https://doi.org/10.20535/S0021347006020105

Номер

Розділ

Оригінальні статті