Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GaAs p-типа

Автор(и)

  • Е. П. Марковский Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347005070095

Анотація

Исследовано значение удельного контактного сопротивления омических контактов к сильнолегированному полупроводнику (2×1018 см–3) GaAs p-типа, с многослойной структурой контакта — Au/TiBx/Ti. Результаты измерений показывают, что данная омическая система конкурентоспособна и имеет свои преимущества перед другими подобными омическими структурами.

Посилання

Гольдберг Ю. А. Тонкие многослойные контакты арсенид галлия—металл / Ю. А. Гольдберг, Д. Н. Наследов, Б. В. Царенков // ПТЭ. — 1966. — № 6. — С. 180–184.

Омические контакты арсенид галлия—металл (обзор) / Л. Д. Либов, С. С. Мескин, Д. Н. Наследов, В. Е. Седов, Б. В. Царенко // ПТЭ. — 1965. — № 4. — С. 14–21.

Stable ohmic contact to GaAs with TiN diffusion barrier / M. F. Zhut, A. H. Hamdi, M.-A. Nicolet, J. L. Tandon // Thin Solid Films. — 1984. — No. 119. — Р. 5–9.

Escobosa A. H. Non-alloyed ohmic contacts on -GaAs and -GaAlAs using Mo-CVD contact layers / A. H. Escobosa and H. Beneking // J. Crystal Growth. — 2 January 1982. — Vol. 56, Issue 2. — P. 376–381.

A study of p-type ohmic contacts to InA1As/InGaAs heterostructures / R. D. Briggs, A. J. Howard, A. G. Baca, M. J. Haffeh, and G. A. Vawter // Thin Solid Films. — 15 December 1996. — Vol. 290–291. — P. 508–512.

Prasad K. A common metallization scheme for ohmic contacts to n-type and p-type GaAs: the Al–Ni–Sn system / K. Prasad // Materials Science and Engineering В. — November 1994. — Vol. 27, No. 2–3. — P. L21–L23.

Wu C.-H. Ni/Pd/Au ohmic contact for p-GaAs and its application in red RCLED / Chih-Hung Wu, Sen-Mao Liao, and Kai-Cheng Chang // Mater. Sci. Eng. B. — 15 March 2005. — Vol. 117, No. 2. — P. 205–209.

A SIMS and TEM investigation of Au/Ti/Pd solid state Ohmic contacts on p-GaAs / B. M. Henrya, A. E. Staton-Bevana, V. K. M. Sharmaa, and M. A. Crouchb // Appl. Surface Science. — April 1997. — Vol. 108, No. 4. — P. 485–493.

Ohmic performance comparison for Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au on InAs graded InGaAs/GaAs layers / Y.-T. Lyua, K.-L. Jawa, Ch.-T. Lee, et al. // Mater. Chem. Phys. — 28 February 2000. — Vol. 63, No. 2. — P. 122–126.

A survey of ohmic contacts to III—V compound semiconductors / А. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, S. J. Pearton // Thin films. — 1997. — No. 308–309. — P. 599–606.

Shimawaki H. Ohmic contacts to p-GaAs with regrown structures formed by metal organic molecular beam epitaxy / H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo // J. Appl. Phys. — June 1991. — Vol. 69(11). — P. 7939–7941.

Гольдберг Ю. А. Омический контакт металл—полупроводник : методы создания и свойства / Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. — 1994. — T. 28, № 10. — С. 1681–1698.

Родерик Э. К. Контакты метал—полупроводник / Э. К. Родерик ; пер. с англ. под ред. Г. В. Степанова. — М. : Радио и связь, 1982. — 208 с.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1 / С. Зи ; пер. с англ. — 2-е изд. перераб. и доп. — М. : Мир, 1984. — 456 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2005-07-19

Як цитувати

Марковский, Е. П. (2005). Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GaAs p-типа. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 48(7), 63–68. https://doi.org/10.20535/S0021347005070095

Номер

Том 48 № 7 (2005)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.