Моделирование температурных характеристик кремниевых датчиков при малых уровнях инжекции
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347005060099Анотація
Исследована термочувствительность кремниевых биполярных структур, как зависимость неравновесной контактной разности потенциала p–n-перехода от температуры. Выведено уравнение модели, описывающие температурные характеристики кремниевых датчиков на основе p–n-перехода. Сравниваются экспериментальные зависимости напряжения на p–n-переходе от температуры с зависимостями, построенными по предложенной модели.
Посилання
- Венгер Е. Ф. Влияние сопротивления линии связи на термометрическую характеристику кремниевых сенсоров температуры / Е. Ф. Венгер, Н. Р. Кулиш, Ю. М. Шварц // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1997. — Вып. 32. — C. 83–86.
- Яганов П. А. Координатный фотопреобразователь с температурной стабилизацией / П. А. Яганов // Электроника и связь. — 2003. — № 20. — C. 208–210.
- Васильев А. М. Полупроводниковые фотопреобразователи / А. М. Васильев, А. П. Ландсман. — М. : Сов. pадио, 1971. — 248 с.
- Яганов П. А. Связь фото-ЭДС холостого хода с уровнем легирования p- и n-областей / П. А. Яганов, И. И. Клетченков // Диэлектрики и полупроводники. — 1987. — Вып. 31. — C. 89–95.
- Tyagi M. S. Minority carrier recombination in heavilydoped silicon / M. S. Tyagi, R. Van Overstraeten // Solid-State Electronics. — 1983. — Vol. 26. No. 6. — Р. 577–579.
- Мнацаканов Т. Т. Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда / Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников. — 1997. — T. 31, № 7. — С. 833–835.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1 / С. Зи. — М. : Мир, 1984. — 456 с.
- Стриха В. И. Контактные явления в полупроводниках / В. И. Стриха. — К. : Вища школа, 1982. — 224 с.
- О температурных зависимостях равновесных и неравновесных характеристик в кремнии / А. П. Горбань, В. А. Зуев, В. П. Костылев, [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2001. — Вып. 36. — С. 161–165.
##submission.downloads##
Опубліковано
2005-06-19
Як цитувати
Яганов, П. А. (2005). Моделирование температурных характеристик кремниевых датчиков при малых уровнях инжекции. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 48(6), 72–78. https://doi.org/10.20535/S0021347005060099
Номер
Розділ
Оригінальні статті
