Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347004110093Анотація
Предложен способ определения параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки, основанный на измерении коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора при различных схемах его включения.Посилання
- Филинюк, Н. А. "Определение параметров эквивалентной схемы активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 26, № 7, С. 90–92, 1983.
- Man, G. S. F. "A microwave model for the dual-Gate GaAs MESFET," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., June, 1981, Р. 43–45.
- Маттей, Д. Л.; Янг, Л.; Джонс, Е. М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Пер. с англ. М.: Связь, 1971. 240 с.
- Филинюк, Н. А.; Песков, С. Н.; Павлов, С. Н. "Определение параметров физической эквивалентной схемы высокочастотных транзисторов," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 25, № 12, С. 38–43, 1982.
- Филинюк, Н. А. "Экспериментальное определение граничной частоты активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 30, № 12, С. 90–92, 1987.
##submission.downloads##
Опубліковано
2004-11-09
Як цитувати
Филинюк, Н. А., & Гаврилов, Д. В. (2004). Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(11), 71–75. https://doi.org/10.20535/S0021347004110093
Номер
Розділ
Оригінальні статті
