Частотно-стабилизированные полупроводниковые источники электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона длин волн. 2. Транзисторные источники

Автор(и)

  • Леонид Вениаминович Касаткин Научно-исследовательский институт "Орион", Україна
  • В. П. Рукин Научно-исследовательский институт "Орион", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347004070015

Анотація

Приведен обзор путей построения транзисторных частотно-стабилизированных источников миллиметрового диапазона длин волн, работающих в режимах автоколебаний, умножения частоты, синхронизации сигналом субгармоники. Проведен сопоставительный анализ диодных и транзисторных источников рассматриваемых классов.

Посилання

Tsironis, С. "Highly stable dielectric resonator FET oscillators," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 33, No. 4, Р. 310–314, 1985. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1985.1133082.

Morgan, G. B. "Temperature compensated, high permittivity dielectric resonators for millimeter wave systems," Int. J. Infrared Milli. Waves, Vol. 5, No. 1, P. 1-11, 1984. DOI: https://doi.org/10.1007/BF01014030.

Hosoya, K.; Inoue, T.; Funabashi, M.; Ohata, K. "Systematic evaluation and analysis for 60-GHz dielectric resonators coupled to a microstrip line on a GaAs substrate," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 46, No. 4, Р. 352–358, 1998. DOI: https://doi.org/10.1109/22.664136.

Niehenke, Е. C.; Green, Р. A. "A low-noise L-band dielectric resonator stabilized microstrip oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 9 May-11 Jun. 1987, Palo Alto, CA, USA. IEEE, 1987, Р. 193–196. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1987.1132360.

Kwok, R. S.; Liang, J.-F. "Characterization of high-Q resonators for microwave filter applications," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 47, No. 1, Р. 111–114, 1999. DOI: https://doi.org/10.1109/22.740093.

Llopis, O.; Cibiel, G.; Kersale, Y.; Regis, M.; Chaubet, M.; Giordano, V. "Ultra low phase noise sapphire-SiGe HBT oscillator," IEEE Microwave Wireless Compon. Lett., Vol. 12, No. 5, P. 157-159, 2002. DOI: https://doi.org/10.1109/7260.1000188.

Zhong-Liang, S.; Ning, C. "Dielectric-resonator-stabilized second harmonic Ka-band microstrip Gunn oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 9 May-11 Jun. 1987, Palo Alto, CA, USA. IEEE, 1987, Р. 677–680. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1987.1132501.

Dow, G. S.; Sensiper, D.; Schellenberg, J. M. "Highly stable 35 GHz GaAs FET oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2-4 Jun. 1986, Baltimore, MD, USA. IEEE, 1986, Р. 589–591. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1986.1132254.

Guillon, B.; Cros, D.; Pons, P.; Grenier, K.; Parra, T.; Cazaux, J. L.; Lalaurie, J. C.; Graffeuil, J.; Plana, R. "Design and realization of high Q millimeter-wave structures through micromachining techniques," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 13-19 Jun. 1999, Anaheim, CA, USA. IEEE, 1999, Vol. 4, Р. 1519–1522. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1999.780243.

Sinnesbichler, F. X.; Hautz, B.; Olbrich, G. R. "Low phase noise 58 GHz SiGe HBT push-push oscillator with simultaneous 29 GHz output," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 35–38. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860879.

Sinnesbichler, F. X.; Hautz, B.; Olbrich, G. R. "A Si/SiGe HBT dielectric resonator push-push oscillator at 58 GHz," IEEE Microwave Guided Wave Lett., Vol. 10, No. 4, P. 145-147, 2000. DOI: https://doi.org/10.1109/75.846927.

Bermudez, L. A.; Guillon, P.; Obregon, J.; Bert, A. "A 94 GHz low noise GaAs FET oscillator using whispering-gallery dielectric resonator modes and a new push-push configuration reducing 1/f converted noise," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 25-27 May 1988, New York, NY, USA. IEEE, 1988, Р. 481–484. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1988.22079.

Abe, H. "A GaAs MESFET self-bias mode oscillator," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 34, No. 1, Р. 167–172, 1986. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1986.1133295.

Kudszus, S.; Haydl, W. H.; Tessmann, A.; Bronner, W.; Schlechtweg, M. "Push-push oscillators for 94 and 140 GHz applications using standard pseudomorphic GaAs HEMTs," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 20-24 May 2001, Phoenix, AZ, USA. IEEE, 2001. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2001.967203.

Madihian, M.; Hayama, N.; Lesage, S. R.; Honjo, K. "A low-noise microwave oscillator employing a self-aligned AlGaAs/GaAs HBT," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 37, No. 11, Р. 1811–1814, 1989. DOI: https://doi.org/10.1109/22.41049.

Hosoya, K.; Tanaka, S.; Amamiya, Y.; Niwa, T.; Shimawaki, H.; Honjo, K. "A low phase-noise 38-GHz HBT MMIC oscillator utilizing a novel transmission line resonator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 47–50. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860882.

Li, Hao; Rein, H.-M. "Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology," IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 38, No. 2, Р. 184–191, 2003. DOI: https://doi.org/10.1109/JSSC.2002.807404.

Van Haaren, B.; Regis, M.; Llopis, O.; Escotte, L.; Gruhle A.; Mahner C.; Plana R.; Graffeuil, J. "Low-frequency noise properties of SiGe HBT's and application to ultra-low phase-noise oscillators," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 36, No. 5, Р. 647–652, 1998. DOI: https://doi.org/10.1109/22.668677.

Metze, G.; Cornfeld, A.; Singer, J.; Carlson, H.; Chang, E.; Kirkendall, T.; Dahrooge, G.; Bass, J.; Hung, H.-L.; Lee, T. "Monolithic V-band pseudomorphic-MODFET low-noise amplifiers," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 13-15 Jun. 1989, Long Beach, CA, USA. IEEE, 1989, Р. 111–116. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1989.38701.

Ohata, K. "Microwave heterojunction devices," Proc. of 19th European Microwave Conf., 4-7 Sept. 1989, London, UK. IEEE, 1989, Р. 136–146. DOI: https://doi.org/10.1109/EUMA.1989.334147.

Olbrich, G. R. "Low phase noise SiGe HBT push-push oscillators for V-band operation," Proc. of 3rd Int. Conf. on Microwave and Millimeter Wave Technology, 17-19 Aug. 2002, Beijing, China. IEEE, 2002. DOI: https://doi.org/10.1109/ICMMT.2002.1187639.

Uchida, K.; Matsuura, H.; Yakihara, T.; Kobayashi, S.; Oka, S.; Fujita T.; Miura, A. "A power combined W-band HBT oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 51–54. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860883.

Gresham, I.; Jain, N.; Budka, T.; Alexanian, A.; Kinayman, N.; Ziegner, B.; Brown, S.; Staecker, P. "A compact manufacturable 76-77-GHz radar module for commercial ACC applications," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 49, No. 1, Р. 44–58, 2001. DOI: https://doi.org/10.1109/22.899961.

Григулевич, В. И.; Иммореев, И. Я. Радиоимпульсное преобразование частоты. М.: Сов. pадио, 1966. 335 с.

Rolland, P.-A.; Vaterkowski, J. L.; Constant, E.; Salmer, G. "New models of operation for avalanche diodes: Frequency multiplication and upconversion," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 24, No. 11, Р. 768–775, 1976. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1976.1128958.

Касаткин, Л. B.; Новожилов, В. B. "Радиоимпульсное преобразование частоты на лавинно-пролетных диодах," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 45, № 1, С. 39–46, 2002.

Ракитин, С. П.; Карушкин, Н. Ф.; Касаткин, Л. В.; Цвирко, Ю. А.; [и др.]. "Твердотельные компоненты для перспективной радиоэлектронной аппаратуры ММ и субММ диапазонов длин волн (26,5...300 ГГц)," Proc. of 10th Int. Conf. on Microwave & Telecommunication Technology, CriMiCo’2000, Севастополь, Украина. Севастополь, 2000. С. 33–36.

Kudszus, S.; Berceli, T.; Tessmann, A.; Neumann, M.; Haydl, W. H. "A 94 GHz HEMT-oscillator using high order subharmonic synchronization," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 39–42. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860880.

Опубліковано

2008-07-01

Як цитувати

Касаткин, Л. В., & Рукин, В. П. (2008). Частотно-стабилизированные полупроводниковые источники электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона длин волн. 2. Транзисторные источники. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(7), 3–16. https://doi.org/10.20535/S0021347004070015

Номер

Розділ

Оглядові статті