Частотно-стабилизированные полупроводниковые источники электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона длин волн. 2. Транзисторные источники

Автор(и)

  • Леонид Вениаминович Касаткин Научно-исследовательский институт "Орион", Україна
  • В. П. Рукин Научно-исследовательский институт "Орион", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347004070015

Анотація

Приведен обзор путей построения транзисторных частотно-стабилизированных источников миллиметрового диапазона длин волн, работающих в режимах автоколебаний, умножения частоты, синхронизации сигналом субгармоники. Проведен сопоставительный анализ диодных и транзисторных источников рассматриваемых классов.

Посилання

Tsironis, С. "Highly stable dielectric resonator FET oscillators," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 33, No. 4, Р. 310–314, 1985. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1985.1133082.

Morgan, G. B. "Temperature compensated, high permittivity dielectric resonators for millimeter wave systems," Int. J. Infrared Milli. Waves, Vol. 5, No. 1, P. 1-11, 1984. DOI: https://doi.org/10.1007/BF01014030.

Hosoya, K.; Inoue, T.; Funabashi, M.; Ohata, K. "Systematic evaluation and analysis for 60-GHz dielectric resonators coupled to a microstrip line on a GaAs substrate," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 46, No. 4, Р. 352–358, 1998. DOI: https://doi.org/10.1109/22.664136.

Niehenke, Е. C.; Green, Р. A. "A low-noise L-band dielectric resonator stabilized microstrip oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 9 May-11 Jun. 1987, Palo Alto, CA, USA. IEEE, 1987, Р. 193–196. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1987.1132360.

Kwok, R. S.; Liang, J.-F. "Characterization of high-Q resonators for microwave filter applications," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 47, No. 1, Р. 111–114, 1999. DOI: https://doi.org/10.1109/22.740093.

Llopis, O.; Cibiel, G.; Kersale, Y.; Regis, M.; Chaubet, M.; Giordano, V. "Ultra low phase noise sapphire-SiGe HBT oscillator," IEEE Microwave Wireless Compon. Lett., Vol. 12, No. 5, P. 157-159, 2002. DOI: https://doi.org/10.1109/7260.1000188.

Zhong-Liang, S.; Ning, C. "Dielectric-resonator-stabilized second harmonic Ka-band microstrip Gunn oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 9 May-11 Jun. 1987, Palo Alto, CA, USA. IEEE, 1987, Р. 677–680. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1987.1132501.

Dow, G. S.; Sensiper, D.; Schellenberg, J. M. "Highly stable 35 GHz GaAs FET oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2-4 Jun. 1986, Baltimore, MD, USA. IEEE, 1986, Р. 589–591. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1986.1132254.

Guillon, B.; Cros, D.; Pons, P.; Grenier, K.; Parra, T.; Cazaux, J. L.; Lalaurie, J. C.; Graffeuil, J.; Plana, R. "Design and realization of high Q millimeter-wave structures through micromachining techniques," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 13-19 Jun. 1999, Anaheim, CA, USA. IEEE, 1999, Vol. 4, Р. 1519–1522. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1999.780243.

Sinnesbichler, F. X.; Hautz, B.; Olbrich, G. R. "Low phase noise 58 GHz SiGe HBT push-push oscillator with simultaneous 29 GHz output," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 35–38. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860879.

Sinnesbichler, F. X.; Hautz, B.; Olbrich, G. R. "A Si/SiGe HBT dielectric resonator push-push oscillator at 58 GHz," IEEE Microwave Guided Wave Lett., Vol. 10, No. 4, P. 145-147, 2000. DOI: https://doi.org/10.1109/75.846927.

Bermudez, L. A.; Guillon, P.; Obregon, J.; Bert, A. "A 94 GHz low noise GaAs FET oscillator using whispering-gallery dielectric resonator modes and a new push-push configuration reducing 1/f converted noise," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 25-27 May 1988, New York, NY, USA. IEEE, 1988, Р. 481–484. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1988.22079.

Abe, H. "A GaAs MESFET self-bias mode oscillator," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 34, No. 1, Р. 167–172, 1986. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1986.1133295.

Kudszus, S.; Haydl, W. H.; Tessmann, A.; Bronner, W.; Schlechtweg, M. "Push-push oscillators for 94 and 140 GHz applications using standard pseudomorphic GaAs HEMTs," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 20-24 May 2001, Phoenix, AZ, USA. IEEE, 2001. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2001.967203.

Madihian, M.; Hayama, N.; Lesage, S. R.; Honjo, K. "A low-noise microwave oscillator employing a self-aligned AlGaAs/GaAs HBT," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 37, No. 11, Р. 1811–1814, 1989. DOI: https://doi.org/10.1109/22.41049.

Hosoya, K.; Tanaka, S.; Amamiya, Y.; Niwa, T.; Shimawaki, H.; Honjo, K. "A low phase-noise 38-GHz HBT MMIC oscillator utilizing a novel transmission line resonator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 47–50. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860882.

Li, Hao; Rein, H.-M. "Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology," IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 38, No. 2, Р. 184–191, 2003. DOI: https://doi.org/10.1109/JSSC.2002.807404.

Van Haaren, B.; Regis, M.; Llopis, O.; Escotte, L.; Gruhle A.; Mahner C.; Plana R.; Graffeuil, J. "Low-frequency noise properties of SiGe HBT's and application to ultra-low phase-noise oscillators," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 36, No. 5, Р. 647–652, 1998. DOI: https://doi.org/10.1109/22.668677.

Metze, G.; Cornfeld, A.; Singer, J.; Carlson, H.; Chang, E.; Kirkendall, T.; Dahrooge, G.; Bass, J.; Hung, H.-L.; Lee, T. "Monolithic V-band pseudomorphic-MODFET low-noise amplifiers," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 13-15 Jun. 1989, Long Beach, CA, USA. IEEE, 1989, Р. 111–116. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1989.38701.

Ohata, K. "Microwave heterojunction devices," Proc. of 19th European Microwave Conf., 4-7 Sept. 1989, London, UK. IEEE, 1989, Р. 136–146. DOI: https://doi.org/10.1109/EUMA.1989.334147.

Olbrich, G. R. "Low phase noise SiGe HBT push-push oscillators for V-band operation," Proc. of 3rd Int. Conf. on Microwave and Millimeter Wave Technology, 17-19 Aug. 2002, Beijing, China. IEEE, 2002. DOI: https://doi.org/10.1109/ICMMT.2002.1187639.

Uchida, K.; Matsuura, H.; Yakihara, T.; Kobayashi, S.; Oka, S.; Fujita T.; Miura, A. "A power combined W-band HBT oscillator," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 51–54. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860883.

Gresham, I.; Jain, N.; Budka, T.; Alexanian, A.; Kinayman, N.; Ziegner, B.; Brown, S.; Staecker, P. "A compact manufacturable 76-77-GHz radar module for commercial ACC applications," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 49, No. 1, Р. 44–58, 2001. DOI: https://doi.org/10.1109/22.899961.

Григулевич, В. И.; Иммореев, И. Я. Радиоимпульсное преобразование частоты. М.: Сов. pадио, 1966. 335 с.

Rolland, P.-A.; Vaterkowski, J. L.; Constant, E.; Salmer, G. "New models of operation for avalanche diodes: Frequency multiplication and upconversion," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 24, No. 11, Р. 768–775, 1976. DOI: https://doi.org/10.1109/TMTT.1976.1128958.

Касаткин, Л. B.; Новожилов, В. B. "Радиоимпульсное преобразование частоты на лавинно-пролетных диодах," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 45, № 1, С. 39–46, 2002.

Ракитин, С. П.; Карушкин, Н. Ф.; Касаткин, Л. В.; Цвирко, Ю. А.; [и др.]. "Твердотельные компоненты для перспективной радиоэлектронной аппаратуры ММ и субММ диапазонов длин волн (26,5...300 ГГц)," Proc. of 10th Int. Conf. on Microwave & Telecommunication Technology, CriMiCo’2000, Севастополь, Украина. Севастополь, 2000. С. 33–36.

Kudszus, S.; Berceli, T.; Tessmann, A.; Neumann, M.; Haydl, W. H. "A 94 GHz HEMT-oscillator using high order subharmonic synchronization," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 11-16 Jun. 2000, Boston, MA, USA. IEEE, 2000, Р. 39–42. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.2000.860880.

##submission.downloads##

Опубліковано

2008-07-01

Як цитувати

Касаткин, Л. В., & Рукин, В. П. (2008). Частотно-стабилизированные полупроводниковые источники электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона длин волн. 2. Транзисторные источники. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(7), 3–16. https://doi.org/10.20535/S0021347004070015

Номер

Том 47 № 7 (2004)

Розділ

Оглядові статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2004 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.