Информативность параметра «энергия вторичного пробоя» мощных переключательных транзисторов

Н. Г. Воробьев

doi:10.20535/S0021347004030070

Информативность параметра «энергия вторичного пробоя» мощных переключательных транзисторов

Автор(и)

Н. Г. Воробьев Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет", Нижний Новгород, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347004030070

Анотація

Обоснована необходимость оценки величины энергии вторичного пробоя переключательных транзисторов. Рассмотрены вопросы повышения надежности мощных ключевых устройств, создаваемых на биполярных транзисторах.

Посилання

Jovanovic, M. M.; Lee, F. C.; Chen, D. Y. Nondestructive characterization of RBSOA of high-power bipolar transistors. IEEE Trans. Aerosp. Electron. Syst., v.AES-22, n.2, Р.138-145, 1986. DOI: https://doi.org/10.1109/TAES.1986.310748.
Колесников, В. Г.; Никифоров, В. И.; Сыноров, В. Ф.; и др. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. pадио, 1973. 336 с.

##submission.downloads##

Передплата або плата за доступ PDF (Русский) (50 UAH)

Опубліковано

2004-03-07

Як цитувати

Воробьев, Н. Г. (2004). Информативность параметра «энергия вторичного пробоя» мощных переключательных транзисторов. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(3), 37–43. https://doi.org/10.20535/S0021347004030070