Мощный ключ на МОП-транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением

Автор(и)

  • В. П. Дудкин Воронежский государственный ун-т, Російська Федерація
  • А. В. Москалев Воронежский государственный ун-т, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347003080132

Анотація

Оценено влияние сложной активной обратной связи на временные характеристики мощного МОП-транзистора в импульсном режиме. Установлено, что активная отрицательная обратная связь позволяет сократить время импульсного включения, не оказывая существенного влияния на процесс выключения и амплитуду импульса выходного тока. Результаты подтверждены экспериментально.

Посилання

  1. Ishihara N., Kikuchi H., Ohara M. Gigahertz-band high-gain GaAs monolithic amplifiers using parallel feedback technique // IEEE Journal of Solid-State Circuits.— 1989.— Vol. 24.— No. 4.— Р. 962—968.
  2. Дьяконов В. П. Анализ переходных процессов в ключе на мощном МДП-транзисторе // Радиотехника и электроника.— 1980.— №2.— С. 399—406.
  3. Дьяконов В. Л., Самойлова Т. А. Расчет и моделирование на ЭВМ каскада с общим истоком на мощном МДП-транзисторе // Радиоэлектроника.— 1980.— №6.— С. 97—99. (Изв. высш. учеб. заведений).
  4. International Rectifier Application notes: Gate Drive Characteristics and requirements for HEXFETS, AN-937 (v. Int.).

Опубліковано

2003-08-13

Як цитувати

Дудкин, В. П., & Москалев, А. В. (2003). Мощный ключ на МОП-транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 46(8), 75–80. https://doi.org/10.20535/S0021347003080132

Номер

Том 46 № 8 (2003)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2003 Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка