Модель биполярного транзистора в режиме сверхбольшого сигнала

Л. Н. Сорокин; В. Г. Усыченко; А. В. Шерстюк

doi:10.20535/S0021347003030105

Автор(и)

Л. Н. Сорокин Военный инженерно-космический ун-т им. А. Ф. Можайского, государственный политехнический ун-т, г. Санкт-Петербург, Російська Федерація
В. Г. Усыченко Военный инженерно-космический ун-т им. А. Ф. Можайского, государственный политехнический ун-т, г. Санкт-Петербург, Російська Федерація
А. В. Шерстюк Военный инженерно-космический ун-т им. А. Ф. Можайского, государственный политехнический ун-т, г. Санкт-Петербург, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347003030105

Анотація

Предложена качественная электрофизическая модель биполярного транзистора СВЧ, работающего в режиме воздействия мощного импульсного сигнала, способного вывести прибор из строя. Экспериментально определены параметры транзистора, характеризующие его работу в режиме сверхбольшого сигнала, включая мощность выгорания при различной длительности и полярности воздействующих импульсов.

Посилання

С. Зи, Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984.
В. В. Пасынков и Л. К. Чиркин, Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.
И. Влах и К. Сингхал, Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988.
А. С. Тагер и В. М. Вальд-Перлов, Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1968.
В. В. Антипин, В. А. Годовицин, и Д. В. Громов и др., “Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы,” Зарубежная радиоэлектроника, № 1, с. 37-53, 1995.