Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ

Автор(и)

  • Д. А. Усанов Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • А. В. Скрипаль Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • С. Б. Вениг Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • В. Е. Орлов Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • Н. В. Угрюмова Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • В. Н. Посадский Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація
  • А. А. Клецов Саратовский государственный ун-т, Російська Федерація

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347003030075

Анотація

Теоретически и экспериментально подтверждено, что результатом воздействия мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ может стать качественное изменение вида их статических характеристик. В частности, возможно появление или исчезновение падающих участков с отрицательными сопротивлением или проводимостью, являющимися одной из причин обратимых отказов радиоэлектронных устройств на основе диодных структур.

Посилання

В. В. Антипин, В. А. Годовицин, Д. В. Громов и др., “Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы,” Зарубежная радиоэлектроника, № 1, с. 37-53, 1995.

Ю. В. Дементьев, В. Г. Каплун, Ю. С. Кучеров, и А. Ф. Сытник, “Влияние длины волны внешнего СВЧ-излучения на стойкость элементной базы радиоэлектронной аппаратуры,” Радиотехника, № 2, с. 125-126, 1998.

Д. А. Усанов, “Возможные направления совершенствования параметров устройств полупроводниковой СВЧ-электроники,” Радиотехника, № 4, с. 96-99, 1999.

Д. А. Усанов, Б. Н. Коротин, В. Е. Орлов, и А. В. Скрипаль, “Снятие вырождения в p- и n-областях p—n-перехода внешним СВЧ-сигналом,” Письма в ЖТФ, т. 16, № 8, с. 50-51, 1990.

Д. А. Усанов, В. Е. Орлов, Б. Н. Коротин, и А. В. Скрипаль, “Влияние внешнего СВЧ-сигнала на работу СВЧ-генератора на туннельном диоде,” Известия вузов. Радиофизика, т. 34, № 1, с. 81-85, 1991.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, и В. Е. Орлов, “Влияние греющего СВЧ-поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода,” Письма в ЖТФ, т. 19, № 7, с. 81-85, 1993.

А. В. Скрипаль, Д. А. Усанов, и А. В. Абрамов, “Нелинейная динамика генератора на туннельном диоде при воздействии внешнего СВЧ-сигнала,” Прикладная нелинейная динамика, т. 8, № 4, с. 66-73, 2000.

В. Г. Виненко, С. В. Красовский, и Д. А. Усанов, “Модуляция выходного сигнала в СВЧ-ограничителях мощности на p—i—n-диодах,” Электронная техника. Серия 1 “СВЧ-техника,” т. 4, с. 38–39, 1987.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, и Н. В. Угрюмова, “Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p—n-перехода в СВЧ-поле,” ФТП, т. 32, № 11, с. 1399-1402, 1998.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, и Н. В. Угрюмова, “Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с p—n-переходом под действием СВЧ-излучения,” Письма в ЖТФ, т. 25, № 1, с. 42-45, 1999.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, и Н. В. Угрюмова, “Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе p—n-перехода при воздействии сверхвысокочастотного излучения высокого уровня мощности,” Радиотехника и электроника, т. 45, № 12, с. 1509-1513, 2000.

Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, и В. Е. Орлов, “Стимулированная внешним сверхвысокочастотным излучением работа туннельного диода в режиме генерации,” Известия вузов. Радиофизика, т. 42, № 10, с. 1009-1012, 1999.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Н. В. Угрюмова, С. Б. Вениг, и В. Е. Орлов, “Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала,” ФТП, т. 34, № 5, с. 567-571, 2000.

Г. Б. Дзехцер, Ю. И. Николаев, и О. С. Орлов, “К вопросу о взаимодействии плоскостного полупроводникового диода с электронным СВЧ-полем,” Вопросы радиоэлектроники. Сер. 6. Радиоизмерительная техника, № 3, с. 3-12, 1971.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, и Н. В. Угрюмова, “Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в p—i—n-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения,” Изв. вузов. Электроника, № 3, 4, с. 48-52, 1997.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, и Н. В. Угрюмова, “Температурные зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе p—n-переходов в сильном СВЧ-поле,” Изв. вузов. Электроника, № 1, с. 51-58, 2000.

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Е. Орлов, и Б. Н. Коротин, “Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ-полем,” Изв. вузов. Электроника, № 1, 2, с. 129-133, 1996.

Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, и В. Е. Орлов, “Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ-сигналом,” Письма в ЖТФ, т. 25, № 2, с. 39-42, 1999.

Б. А. Розанов и С. Б. Розанов, Приемники миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1989.

А. С. Тагер и В. М. Вальд-Перлов, Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1968.

Опубліковано

2003-03-07

Як цитувати

Усанов, Д. А., Скрипаль, А. В., Вениг, С. Б., Орлов, В. Е., Угрюмова, Н. В., Посадский, В. Н., & Клецов, А. А. (2003). Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 46(3), 40–48. https://doi.org/10.20535/S0021347003030075

Номер

Том 46 № 3 (2003): Военные радиоэлектронные технологии

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2003 Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.