Идентификация параметров электрической модели резонансно-туннельного диода с помощью комплекса программ EC-RTS-NANODEV

Автор(и)

  • И. И. Абрамов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Білорусь
  • А. В. Королев Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроник, Білорусь
  • И. А. Гончаренко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроник, Білорусь

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347003010072

Анотація

Описан комплекс программ моделирования резонансно-туннельных структур на уровне электрических моделей. Предложена методика идентификации параметров моделей по экспериментальным данным и результатам численного моделирования с помощью разработанного комплекса программ и приведен пример ее использования для резонансно-туннельного диода

Посилання

D. V. Averin, and K. K. Likharev, “Possible applications of the single charge tunneling,” in Single charge tunneling: Coulomb blockade phenomena in nanostructures, H. Grabert and M. H. Devoret, Eds. New York: Plenum, 1992, p. 311-332. doi: 10.1007/978-1-4757-2166-9_9.

E. G. Novik, I. V. Sheremet, S. S. Ivashkevich, and I. I. Abramov, “Nanoelectronic device simulator NANODEV,” in Physics, Chemistry and Application of Nanostructure, World Scientific, Singapore, 1997, p. 317-321. doi: 10.1142/9789814503938_0069.

И. И. Абрамов и Е. Г. Новик, Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. Мн.: Бестпринт, 2000.

И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, и Е. Г. Новик, “Численное моделирование одноэлектронных транзисторов,” Известия высших учебных заведений. Электроника, № 2, с. 87-94, 2000.

И. И. Абрамов и Е. Г. Новик, “Двумерная численная модель одноэлектронного транзистора,” Микроэлектроника, т. 29, № 3, с. 197-201, 2000.

И. И. Абрамов, Ю. А. Берашевич, и А. Л. Данилюк, “Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на различных материалах,” Журнал технической физики, т. 69, № 11, с. 130-131, 1999.

И. И. Абрамов, Ю. А. Берашевич, И. В. Шеремет, и И. Я. Якубовский, “Комплекс программ моделирования резонансно-туннельных структур,” Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, т. 42, № 2, с. 46-50, 1999.

И. И. Абрамов, А. Л. Данилюк, и А. В. Королёв, “Нелинейная электрическая модель резонансно-туннельного диода,” Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника, т. 43, № 3, с. 59-63, 2000.

И. И. Абрамов, А. Л. Данилюк, и А. В. Королёв, “Электрическая модель двухбарьерных наноструктур, фунционирующих на принципах самоорганизации,” Известия Белорусской инженерной академии, № 1(7)/2, с. 119-121, 1999.

Опубліковано

2003-01-07

Як цитувати

Абрамов, И. И., Королев, А. В., & Гончаренко, И. А. (2003). Идентификация параметров электрической модели резонансно-туннельного диода с помощью комплекса программ EC-RTS-NANODEV. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 46(1), 53–57. https://doi.org/10.20535/S0021347003010072

Номер

Розділ

Оригінальні статті