Влияние энергии и угла задержки инжектируемых носителей на эффективность преобразования энергии в диоде Ганна со сложным катодом

В. И. Каневский; Ик-Ван Че; В. Е. Чайка

doi:10.20535/S0021347003010047

Автор(и)

В. И. Каневский Киевский политехнический ин-т, Україна
Ик-Ван Че Киевский политехнический ин-т, Україна
В. Е. Чайка Киевский политехнический ин-т, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347003010047

Анотація

Численно исследовано влияние энергии и угла задержки инжектируемых носителей на эффективность преобразования энергии на основной гармонике в n-GaAs-диоде Ганна со сложным катодом. Показано, что увеличение энергии инжектируемых носителей в активную область диода (для углов задержки внутри диапазона, соответствующего положительным величинам эффективности диода) приводит к сдвигу этого диапазона в сторону увеличения углов задежки. Предложена новая структура диода Ганна с катодными контактами, состоящими из чередующихся квази-островковых омических контактов и областей управляющего электрода.

Посилання

N. R. Couch, P. H. Beton, M. J. Kelly, T. M. Kerr, D. J. Knight, and J. Ondria, “The use of linearly graded composition AlGaAs injectors for intervalley transfer in GaAs: theory and experiment,” Solid State Electron., vol. 31, no. 3-4, pp. 613-616, 1988, doi: 10.1016/0038-1101(88)90353-X.
В. И. Каневский, Ю. Н. Козырев, Ю. Е. Сухина, и Д. Е. Побокин, “Физические процессы в диодах Ганна со сложным катодом (моделирование методом Монте-Карло),” Радиотехника и электроника, т. 40, № 1, с. 147-153, 1995.
В. И. Каневский и В. Е. Чайка, “Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами горячих электронов,” Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, т. 43, № 8, с. 73-80, 2000.
C. Jacoboni, and L. Reggiani, “The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials,” Rev. Mod. Phys., vol. 55, no. 3, pp. 645-705, 1983, doi: 10.1103/RevModPhys.55.645.
M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, and T. H. Glisson, “Velocity-field characteristics of GaAs with Γc6-Lc6-Xc6 conduction-band ordering,” J. Appl. Phys., vol. 48, no. 11, pp. 4587-4590, 1977, doi: 10.1063/1.323516.
J. G. Ruch, and W. Fawcett, “Temperature Dependence of the Transport Properties of Gallium Arsenide Determined by a Monte Carlo Method,” J. Appl. Phys., vol. 41, no. 9, рp. 3843-3849, 1970.