Влияние γ-радиации 60Со на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ

Автор(и)

  • Р. В. Конакова Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • В. В. Миленин Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • Е. А. Соловьев Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • В. А. Статов Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • М. А. Стовповой Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • А. Е. Ренгевич Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • И. В. Прокопенко Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна
  • Г. Т. Тариелашвили Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии наук Украины, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134700006008X

Анотація

Рассмотрено влияние γ-радиации на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки. Исследования проводились в диапазоне доз 105…9∙108 Р. Показано, что при дозах 5∙106…5∙107 P наблюдается улучшение параметров, которое обусловлено релаксацией внутренних механических напряжений. Предложен метод управления параметрами границы раздела фаз металл—GaAs диодных и транзисторных структур.

Посилання

VLSI electronics: Microstructure science : Vol. 11 : GaAs microelectronics // Ed. by N. G. Einsprush, W. R. Wisseman. — Academic Press, 1985. — 250 p.

Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. Шур. — М. : Мир, 1991. — 632 с.

Влияние радиации на вольтамперные характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Е. А. Соловьев, [и др.] // Радиоэлектроника. — 1999. — Т. 42, № 4. — С. 73–76. — (Известия вузов).

Упорядоченная латеральная неоднородность переходного слоя в системе AuGe-GaAs / В. И. Вдовин, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, [и др.] // Письма в ЖТФ. — 1992. — Т. 25(18), Вып. 16. — С. 10.

Электрорадиационные изменения в барьерных структурах платина—арсенид галлия / С. А. Груша, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, [и др.] // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборов. — 1990. — № 5(208). — С. 68–72.

Уваров Е. Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений А3В5, облученных быстрыми электронами и нейтронами / Е. Ф. Уваров // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — М. : ЦНИИ Электроника, 1979. — 68 с.

Опубліковано

2000-06-08

Як цитувати

Конакова, Р. В., Миленин, В. В., Соловьев, Е. А., Статов, В. А., Стовповой, М. А., Ренгевич, А. Е., Прокопенко, И. В., & Тариелашвили, Г. Т. (2000). Влияние γ-радиации 60Со на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 43(6), 45–52. https://doi.org/10.20535/S002134700006008X

Номер

Розділ

Оригінальні статті