Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Автоматизация формирования математических моделей для структур с непланарными границами

С. Г. Мулярчик, А. В. Попов, В. Г. Соловьев

Аннотация


В сообщении рассмотрены два аспекта проблемы автоматизации двумерного численного моделирования микроэлектронных элементов, содержащих непланарные границы: построение сетки пространственной дискретизации и формирование линейных систем, решаемых на итерациях гуммелевского типа…


Полный текст:

PDF

Литература


Shigyo N. Analysis of an anomalous subthreshold current in a fully recessed oxide MOSFET using a three-dimensional device simulator / N. Shigyo, R. Dang // IEEE Trans. — 1985. — Vol. SC-20, No. 1. — P. 361–365.

Shigyo N. Three-dimensional device simulation using a mixed process/device simulator / N. Shigyo, R. Dang // Process and device modelling / Ed. by W. L. Engl. — Amsterdam : North-Holland, 1986. — P. 301–327.

Мулярчик С. Г. Вычислительные модели универсальных программ физико-структурного моделирования / С. Г. Мулярчик, В. Г. Соловьев // Радиоэлектроника. — 1984. — Т. 27, № 6. — С. 56–61. — (Известия вузов).

De Mari A. An accurate numerical steady-state one-dimensional solution of the p-n junction / A. De Mari // Solid-State Electronics. —1968. — Vol. 11, No. 1. — P. 33–58.

Кольдяев В. И. Моделирование методом неподвижного заряда основных характеристик элементов СБИС на основе МДП-транзисторов / В. И. Кольдяев, О. Ю. Пензин, О. Н. Шахова // Автометрия. — 1988. — № 3. — С. 16–25.




DOI: http://dx.doi.org/10.20535/S002134701990060152

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2017
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта