Особенности формирования и свойства омических контактов к n-GaN(AlN) и синтетическому алмазу

Автор(и)

  • Владимир Николаевич Шеремет журнал "Известия вузов. Радиоэлектроника", Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701310004X

Ключові слова:

омический контакт, удельное контактное сопротивление, механизм токопереноса, Оже-спектроскопия, рентгеновская дифрактометрия

Анотація

Рассмотрены омические контакты Au–TiBx–Al–Ti–n–GaN, Au–Pd–Ti–Pd–n–AlN и Au–Pd–Ti–n–C к перспективным для использования в микроэлектронике широкозонным полупроводникам. Формирование омических контактов происходит после нанесения последовательных слоев металлизации с последующей быстрой термической обработкой, которая приводит к твердофазным реакциям, проходящим между полупроводником и металлизацией. Показано, что использование в омическом контакте рентгеноаморфного слоя TiBx в роли диффузионного барьера позволяет создавать термостойкие контакты до Т = 900 °С. Токоперенос в рассмотренных омических контактах описан с помощью модели токопереноса по металлическим шунтам с учетом диффузионного ограничения подвода носителей заряда.

Посилання

Annaig D. Gallium nitride bulk crystal growth processes: a review / D. Annaig, G. Graziella, G. Demazeau // Mater. Sci. Eng. R: Reports. — 2006. — Vol. 50, No. 6. — P. 167–194. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.mser.2005.11.001">10.1016/j.mser.2005.11.001.

Levinstein M. Handbook Series on Semiconductor Parameters : Vol. 1, 2 / Ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur. — London : World Scientific, 1996, 1999.

Kamata H. Single-crystal growth of aluminum nitride on 6H–SiC substrates by an open-system sublimation method / Hiroyuki Kamata, Kunihiro Naoe, Kazuo Sanada, Noboru Ichinose // J. Crystal Growth. — 2009. — Vol. 311, No. 5. — P. 1291–1295. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.12.025">10.1016/j.jcrysgro.2008.12.025.

Blank T. V. Mechanisms of current flow in metal-semiconductor ohmic contacts / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Semiconductors. — 2007. — Vol. 41, No. 11. — P. 1263–1292. — DOI : http://dx.doi.org/10.1134/S1063782607110012">10.1134/S1063782607110012.

Широкозонные полупроводники / Ю. Г. Шреттер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков, В. Г. Сидоров. — С.-Пб. : Наука, 2001. — 125 с.

Васильев А. Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. — М. : Техносфера, 2011. — 256 с.

First observation of bias oscillations in GaN Gunn diodes on GaN substrate / O. Yilmasoglu, K. Mutamba, D. Pavlidis, T. Karaduman // IEEE Trans. Electron Devices. — 2008. — Vol. 55, No. 6. — P. 1563–1567. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TED.2008.921253">10.1109/TED.2008.921253.

Шеремет В. Н. Особенности создания и электрофизические свойства омических контактов к нитриду галлия (обзор) / В. Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2009. — Т. 44. — С. 41–59.

Mohammad S. N. Contact mechanisms and design principles for alloyed ohmic contacts to n–GaN / S. Noor Mohammad // J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 95, No. 12. — P. 7940–7953. — DOI : http://dx.doi.org/10.1063/1.1712016">10.1063/1.1712016.

Третьяков Т. Д. Твердофазные реакции / Т. Д. Третьяков. — М. : Химия, 1978. — 360 с.

Auger depth profile analysis and EFTEM analysis of annealed Ti/Al-contacts on Si-doped GaN / Markus Pidun, Peter Karduck, Joachim Mayer, Klaus Heime, Bernd Schineller, Thomas Walther // Appl. Surface Sci. — 2001. — Vol. 179, No. 1–4. — P. 213–221. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00282-3">10.1016/S0169-4332(01)00282-3.

Фоменко В. С. Эмиссионные свойства материалов. Справочник / В. С. Фоменко. — К. : Наукова думка, 1981. — 340 с.

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov // Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. — 2007. — Vol. 10, No. 4. — P. 1–8. — http://journal-spqeo.org.ua/n4_2007/v10n4-07-p01-08.pdf "> http://journal-spqeo.org.ua/n4_2007/v10n4-07-p01-08.pdf.

Resistance formation mechanisms for contacts to n-GaN and n-AlN with high dislocation density / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, V. P. Klad’ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. N. Panteleev, V. N. Sheremet // Phys. Status Solidi (C). — 2013. — Vol. 10, No. 3. — P. 498–500. — DOI : http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200530">10.1002/pssc.201200530.

Жиляев Ю. В. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника / Ю. В. Жиляев, С. Н. Родин // ПЖТФ. — 2010. — Т. 36, № 9. — С. 11–16.

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad’ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, A. V. Naumov, V. V. Panteleev, V. N. Sheremet // Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. — 2012. — Vol. 15, No. 4. — P. 351–357. — http://journal-spqeo.org.ua/n4_2012/v15n4-2012-p351-357.pdf "> http://journal-spqeo.org.ua/n4_2012/v15n4-2012-p351-357.pdf.

Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки / В. В. Басанец, Н. С. Болтовец, А. В. Гуцул, А. В. Зоренко, В. Г. Ральченко, А. Е. Беляев, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Кучук, В. В. Миленин // ЖТФ. — 2013. — Т. 83, № 3. — С. 113–117.

Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз-нитрид алюминия / В. Г. Ральченко, А. В. Савельев, А. Ф. Попович, И. И. Власов, С. В. Воронина, Е. Е. Ашкинази // Микроэлектроника. — 2006. — Т. 35, № 4. — С. 243–247.

Contacts to doped and undoped polycrystalline diamond films / R. E. Harper, C. Johnston, P. R. Chalker, D. Totterdell, I. M. Buckley-Golder, M. Werner, E. Obermeier, M. Van Rossum // Diamond Relat. Mater. — 1992. — Vol. 1, No. 5–6. — P. 692–696. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/0925-9635(92)90193-R">10.1016/0925-9635(92)90193-R.

Metallic contacts to nitrogen and boron doped diamond-like carbon films / F. M. Wang, M. W. Chen, Q. B. Lai // Thin Solid Films. — 2010. — Vol. 518, No. 12. — P. 3332–3336. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.041">10.1016/j.tsf.2009.10.041.

Carbide contacts on homoepitaxial diamond films / P. Muret, F. Pruvost, C. Saby, E. Lucazeau, T. A. Nguyen Tan, E. Gheeraert, A. Deneuville // Diamond Relat. Mater. — 1999. — Vol. 8, No. 2–5. — P. 961–965. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00380-X">10.1016/S0925-9635(98)00380-X.

Особенности механизма протекания тока в омическом контакте к GaP / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, О. В. Константинов, В. Г. Никитин, Е. А. Поссе // ПЖТФ. — 2004. — Т. 30, № 19. — С. 17–24.

Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, О. В. Константинов, В. Г. Никитин, Е. А. Поссе // ФТП. — 2006. — Т. 40, № 10. — С. 1204–1208.

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd2Si–n+– Si, подвергнутых микроволновому облучению / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Саченко, В. Н. Шеремет, А. О. Виноградов // ФТП. — 2012. — Т. 46, № 3. — С. 344–347.

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений AIIIBV с высокой плотностью дислокаций / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. В. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. B. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина // ФТП. — 2012. — Т. 46, № 3. — С. 348–355.

Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, J. Li, S. A. Vitusevich // J. Appl. Phys. — 2012. — Vol. 111, No. 8. — P. 083701. — DOI : http://dx.doi.org/10.1063/1.3702850">10.1063/1.3702850.

К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n–Si / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. О. Виноградов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Костылев, Я. Я. Кудрик, В. П. Кладько, В. Н. Шеремет // ФТП. — 2013. — Т. 47, № 3. — С. 426–431.

Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices / S. M. Sze, K. K. Ng. — 3rd ed. — John Wiley & Sons, 2007. — 815 p.

Rhoderick E. H. Metal-Semiconductor Contacts / E. H. Rhoderick, R. H. Williams. — 2nd ed. — Oxford : Clarendon Press, 1988.

Sheremet V. N. Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN / V. N. Sheremet // Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. — 2013. — Vol. 16, No. 3.

Шеремет В. Н. Особенности механизма токопереноса в омических контактах к AlN / В. Н. Шеремет, В. С. Жигунов, Ю. В. Жиляев // Лашкарьовські читання–2013 : конф. молодих вчених з фізики напівпровідників, 2–4 квітня 2013, Київ, Україна : зб. тез. — К. [б.и.], 2013. — С. 251–253.

О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Кучук, В. В. Миленин, Ю. Н. Свешников, В. Н. Шеремет // ФТП. — 2008. — Т. 42, № 6. — С. 706–710.

Шеремет В. Н. Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов / В. Н. Шеремет // Радиоэлектроника. — 2010. — T. 53, № 3. — С. 3–12. — (Известия вузов). — Режим доступа : http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010030015">http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010030015.

Sheremet V. N. Metrological aspects of measuring resistance of Ohmic contacts / V. N. Sheremet // Radioelectron. Commun. Syst. — 2010. — Vol. 53, No. 3. — P. 119–128. — DOI : http://dx.doi.org/10.3103/S0735272710030015">10.3103/S0735272710030015.

Опубліковано

2013-10-21

Як цитувати

Шеремет, В. Н. (2013). Особенности формирования и свойства омических контактов к n-GaN(AlN) и синтетическому алмазу. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 56(10), 42–56. https://doi.org/10.20535/S002134701310004X

Номер

Розділ

Оригінальні статті