Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов

Автор(и)

  • Владимир Николаевич Шеремет Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347010030015

Ключові слова:

омический контакт, удельное контактное сопротивление, метод Кокса-Стрэка, метод Кельвина, метод зондирования границы раздела, метод TLM относительная погрешность измерений, Оhmic contact, contact resistivity, Cox-Strack method, Kelvin method

Анотація

В обзоре рассмотрены современные методы измерения сопротивления омических контактов — Кокса-Стрэка, линии передачи, Кельвина, зондирования границы раздела. Показаны примеры их использования и рассчитаны погрешности измерения удельного контактного сопротивления. Наиболее точными методами измерения являются методы Кельвина и зондирования границы раздела, наименее точным — Кокса-Стрэка. Указаны требования и возможности их использования.

Посилання

Morkoc H. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices / H. Morkoc. — Weinheim : Willey–VCH, 2008.

Каганович Э. Б. Методы измерения контактного сопротивления полупроводниковых планарных структур (обзор) / Э. Б. Каганович, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1991. — Вып. 21. — C. 1–11.

First observation of bias oscillation in GaN Gunn diodes on GaN substrate / O. Yilmasoglu, K. Mutamba, D. Pavlidis, [et al.] // IEEE Trans. Electron Devices. — 2008. — Vol. 55, No. 6. — P. 1563–1567.

Ting C.–Y., A study of the contacts of a diffused resistor / C.–Y. Ting, C. Y. Chen // Solid-State Electronics. — 1971. — Vol. 14, No. 6. — P. 433–438.

Cox R. H. Ohmic contacts for GaAs devices / R. H. Cox, H. Strack // Solid-State Electronics. — 1967. — Vol. 10. — P. 1213–1218.

Brooks R. D. Spreading resistance between constant potential surfaces / R. D. Brooks, H. G. Mattes // Bell Sys. Tech. J. — 1971. — Vol. 50, No. 3. — P. 775–784.

Cohen S. S., Contact resistance and methods for its determination / S. S. Cohen // Thin Solid Films. — 1983. — Vol. 104. — P. 361–379.

Кудрик Я. Я. Измерение параметров омических и барьерных контактов к карбиду кремния / Я. Я. Кудрик // Проблемы современной гражданской авиации : Юбилейная международная научно-техническая конференция, Баку, 2007 : труды. — 2007. — C. 187–190.

Floating contact transmission line modelling: an improved method for ohmic contact resistance measurement / M. Lijadi, F. Pardo, N. Bardou, [et al.] // Solid-State Electronics. — 2005. — Vol. 49, No. 10. — P. 1655–1661.

Yu A. Y. Electron tunneling and contact resistance of metal–silicon contact barriers / A. Y. Yu // Solid-State Electronics. — 1970. — Vol. 13. — P. 239–247.

Berger H. H. Contact resistance and contact resistivity / H. H. Berger // J. Electrochem. Soc. — 1972. — Vol. 119, No. 4. — P. 507–514.

Berger H. H. Models for contacts to planar devices / H. H. Berger // Solid-State Electronics. — 1972. — Vol. 15, No. 2. — P. 145–158.

Murrmann H. Current crowding on metal contacts to planar devices / H. Murrmann, D. Wiedmann // IEEE Trans. Electron Devices. — 1969. — Vol. ED–16, No. 12. — P. 1022–1024.

Murrmann H. Messung des ьbergangswiderstandes zwischen metall und diffusionsschicht in Si–planarelementen / H. Murrmann, D. Widmann // Solid-State Electronics. — 1969. — Vol. 12, No. 11. — P. 879–886.

Reeves G. K. Obtaining the specific contact resistance from transmission line model measurement / G. K. Reeves, H. B. Harrison // IEEE Electron Device Lett. — 1982. — Vol. EDL–3, No. 5. — P. 111–113.

Lee C.–T., A Long–term thermal stability of Ti/Al/Pt/Au Ohmic contacts to n–type GaN / C.–T. Lee, H.–W. Kao // Appl. Phys. Lett. — 2000. — Vol. 76, No. 17. — P. 2364–2366.

К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов / А. Н. Андреев, М. Г. Растегаева, В. П. Растегаев [и др.] // ФТП. — 1998. — Т. 32, № 7. — С. 832–838.

Reeves G. K. Specific contact resistance using a circular transmission line model / G. K. Reeves // Solid-State Electronics. — 1980. — Vol. 23, No. 5. — P. 487–490.

Sawdai D. Enhanced transmission line model structures for accurate resistance evaluation of small–size contacts and for more reliable fabrication / D. Sawdai // IEEE Trans. Electron Devices. — 1999. — Vol. 46, No. 7. — P. 1302–1311.

Влияние СВЧ обработки на свойства омических контактов Au–TiBx–Al–Ti–S–GaN / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // СВЧ техника и телекоммуникационные технологии : 18-я международ. Крымская конф., Севастополь, 8–12 сентября 2008 : материалы конференции. — 2008. — C. 550–551.

Russel L. G. The effect of lateral current spreading on the specific contact resistivity in D–Resistor Kelvin devices / L. G. Russel, J. H. Michael, Y. R. Gary // IEEE Trans. Electron Devices. — 1987. — Vol. ED34, No. 3. — P. 537–543.

Cross–Bridge Kelvin Resistor (CBKR) structures for silicide–semiconductor junctions characterization / N. Stavitski, M. J. N. van Dal, J. H. Klootwijk [et al.] // Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors : 9th annual workshop, 23–24 Nov. 2006, Veldhoven, The Netherlands : proc. of conf. — 2006. — P. 436–438.

Опубліковано

2010-03-01

Як цитувати

Шеремет, В. Н. (2010). Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 53(3), 3–12. https://doi.org/10.20535/S0021347010030015

Номер

Том 53 № 3 (2010)

Розділ

Оглядові статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.