DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347020110059



Кремнієвий фотонний випромінювач ІЧ діапазону
Аннотация
Ключевые слова
Литература
N. Schäfer, J. Scheuermann, R. Weih, J. Koeth, S. Höfling, “High efficiency mid-infrared interband cascade leds grown on low absorbing substrates emitting >5 mW of output power,” Opt. Eng., vol. 58, no. 11, p. 1, 2019, doi: https://doi.org/10.1117/1.OE.58.11.117106.
Н. Д. Ильинская et al., “Фотодиоды на основе inassbp для длин волн 2.6-2.8 mum,” Журнал технической физики, vol. 88, no. 2, p. 234, 2018, doi: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.02.45414.2371.
М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников aiiibv: физические свойства и применение (обзор),” Физика и техника полупроводников, vol. 53, no. 3, p. 291, 2019, doi: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47278.8998.
V. K. Malyutenko et al., “Current crowding in INASSB light-emitting diodes,” Appl. Phys. Lett., vol. 79, no. 25, pp. 4228–4230, 2001, doi: https://doi.org/10.1063/1.1424065.
O. M. Williams, “Dynamic infrared scene projection: a review,” Infrared Phys. Technol., vol. 39, no. 7, pp. 473–486, 1998, doi: https://doi.org/10.1016/S1350-4495(98)00041-3.
V. K. Malyutenko et al., “Synthetic ir signature control using emissivity enhancement techniques,” in Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2004, vol. 5408, p. 118, doi: https://doi.org/10.1117/12.537758.
V. K. Malyutenko, V. V. Bogatyrenko, O. Y. Malyutenko, S. V. Chyrchyk, “Si infrared pixelless photonic emitter,” in Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2005, vol. 5957, p. 59570D, doi: https://doi.org/10.1117/12.622104.
V. K. Malyutenko, “Si photonics expands to mid-wave and long-wave infrared: the fundamentals and applications,” in Silicon Photonics XI, 2016, vol. 9752, p. 97521D, doi: https://doi.org/10.1117/12.2208125.
С. В. Чирчик, “Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах кремния,” Известия вузов. Радиоэлектроника, vol. 55, no. 3, pp. 43–47, 2012, doi: https://doi.org/10.20535/S0021347012030053.
О. В. Вакуленко, М. П. Лисиця, “Дослідження інфрачервоного поглинання в кремнії при високих температурах,” Украинский физический журнал, vol. 9, no. 12, pp. 1300–1305, 1964.
М. П. Лисица, В. Н. Малинко, Е. В. Пидлисный, Г. Г. Цебуля, “Поглощение света свободными носителями в кремнии при высоких температурах с учетом приповерхностных эффектов,” Украинский физический журнал, vol. 14, no. 11, pp. 1915–1917, 1969.
А. И. Ансельм, Введение в Теорию Полупроводников: Учебное Пособие, 4th ed. Санкт-Петербург: Лань, 2017.
K. Rajkanan, R. Singh, J. Shewchun, “Absorption coefficient of silicon for solar cell calculations,” Solid-State Electron., vol. 22, no. 9, pp. 793–795, 1979, doi: https://doi.org/10.1016/0038-1101(79)90128-X.
H. R. Philipp, E. A. Taft, “Optical constants of silicon in the region 1 to 10 eV,” Phys. Rev., vol. 120, no. 1, pp. 37–38, 1960, doi: https://doi.org/10.1103/PhysRev.120.37.
F. A. Johnson, “Lattice bands in diamond and zinc blende crystals,” in Progress in Semiconductors. Volume 9, London: Heywood, 1965, p. 235.
Р. Смит, Полупроводники, 2nd ed. Москва: Мир, 1982.
В. И. Старосельский, Физика Полупроводниковых Приборов Микроэлектроники. Москва: Юрайт, 2019.
R. M. Robinson, J. Oleson, L. Rubin, S. W. McHugh, “MIRAGE: system overview and status,” in Technologies for Synthetic Environments: Hardware-in-the-Loop Testing V, 2000, vol. 4027, pp. 387–398, doi: https://doi.org/10.1117/12.391708.
Метрики статей
Metrics powered by PLOS ALM
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41