DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347012030053
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке
Кинетика релаксации DU(t) образца p–Si

Экспресс-метод определения рекомбинационных параметров в технологических пластинах кремния

Сергей Васильевич Чирчик

Аннотация


В работе предложен метод определения рекомбинационных параметров из одного измерения в пластинах Si, таких как скорость поверхностной рекомбинации, «эффективное» и «объемное» время жизни носителей заряда. В основе метода лежит инжекция носителей заряда путем импульсного засвечивания локальной области светом из области фундаментального поглощения полупроводника и измерение временной зависимости изменения концентрации неравновесных носителей заряда. Метод тестировался в производственных условиях на технологических пластинах кремния и может использоваться для качественного контроля в процессе изготовления солнечных элементов.


Ключевые слова


рекомбинационный параметр; поверхностная рекомбинация; пластина Si

Полный текст:

PDF

Литература


Батавин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович. — М. : Радио и связь, 1985. — 264 с.

Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. — М. : Мир, 1973. — 656 с.

Kunst M. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements / M. Kunst and G. Beck // J. Appl. Phys. — 1986. — Vol. 60. — Р. 3558–3566.

Separation of bulk and surface components of recombination life time obtained with a single laser/microwave photoconductance technique / A. Buczhowski, Z. J. Radzimski, G. A. Rozgonyi, F. Shimura // J. Appl. Phys. — 1992. — Vol. 72. — Р. 2873–2877.

Surface recombination velocity of silicon wafers by photoluminescence / D. Baek, S. Rouvimov, B. Kim, T.–C. Jo, D. K. Schroder // Appl. Phys. Lett. — 2005. — Vol. 86. — P. 112110–112118.

Пат. № 15589 Украина. Бесконтактный способ определения рекомбинационных параметров в полупроводниках при повышенных температурах / В. К. Малютенко, С. В. Чирчик // Промышленная собственность. — 2006. — № 7. — С. 4.

Чирчик С. В. Бесконтактный способ измерения рекомбинационных параметров носителей заряда в полупроводниках / С. В. Чирчик // Наукові вісті НТУУ КПІ. — 2009. — № 6. — С. 10–16.

A Review of Some Charge Transport Properties of Silicon / C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani, A. А. Quaranta // Solid State Electron. — 1977. — Vol. 20. — Р. 77–85.

Файнштейн С. М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов / С. М. Файнштейн. — М. : Радио и связь, 1966. — 225 с.

Rajkanan K. Absorption coefficient of silicon for solar sell / K. Rajkanan, R. Singh, J. Shewchun // Solid State Electron. — 1979. — Vol. 22, No. 9. — С. 793–799.

Philipp H. R. Optical Constant of Silicon in the Region 1 to 10 eV / H. R. Philipp and E. A. Taft // Physical Review. — 1960. — 120, No. 1. — Р. 37–38.

Malyutenko V. Surface recombination velocity in Si wafers by photoinduced thermal emission / V. Malyutenko and S. Chyrchyk // Appl. Phys. Lett. — 2006. — Vol. 89. — P. 051909–051915.


 

Цитируется в:

1. Дослідження рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду у технологічних пластинах Si тепловізійним методом
Сергей Васильевич Чирчик
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника  Том: 63  Выпуск: 9  Пер. стр.: 570  Год: 2020  
doi: 10.20535/S0021347020090034

2. Кремнієвий фотонний випромінювач ІЧ діапазону
Сергей Васильевич Чирчик
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника  Том: 63  Выпуск: 11  Пер. стр.: 705  Год: 2020  
doi: 10.20535/S0021347020110059

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2021
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта