Властивості низькотемпературного GaAs отриманого методом РФЕ для пристроїв терагерцового діапазону

Автор(и)

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347024080041

Ключові слова:

арсенід галію, рідкісноземельний елемент, рідкофазна епітаксія, питомий опір, терагерцове випромінювання

Анотація

У статті представлені результати дослідження особливостей формування високоомного низькотемпературного арсеніду галію методом рідкофазної епітаксії (РФЕ) під впливом комплексного легування галієвих розплавів рідкісноземельним елементом диспрозієм та алюмінієм. Електрофізичні властивості епітаксійних шарів досліджувались методом Ван дер Пау. Вимірювання проводилися в частотному діапазоні 80–145 ГГц за допомогою квазіоптичної установки на основі векторного аналізатора VNA з парою частотних розширювачів, що працюють у діапазоні VDI WR-3.4. Це дозволило виміряти повні комплексні параметри розсіювання двополюсника. Показано, що при концентраціях диспрозію (3,7–5,0)×10–2 ат.% та алюмінію (2,1–3,8)×10–4 ат.%, формуються високоомні шари GaAs, Al0,05Ga0,95As, Al0,1Ga0,9As зі значеннями питомого опору (3–7)×105 Ω·см. Порівняння досліджених спектрів пропускання–відбивання терагерцового сигналу у вказаному діапазоні через епітаксійну структуру GaAs–Si GaAs (підкладка) та напівізолюючу підкладку арсеніду галію показало, що вони ідентичні. Низькотемпературна РФЕ, яка базується на одночасному легуванні галієвих розплавів алюмінієм та диспрозієм, може бути використана для формування високоомних шарів арсеніду галію та його твердих розчинів, придатних для застосування у пристроях терагерцового діапазону.

Посилання

  1. C. M. Collier, T. J. Stirling, I. R. Hristovski, J. D. A. Krupa, J. F. Holzman, “Photoconductive terahertz generation from textured semiconductor materials,” Sci. Reports, vol. 6, no. 1, p. 23185, 2016, doi: https://doi.org/10.1038/srep23185.
  2. R. J. B. Dietz, B. Globisch, H. Roehle, D. Stanze, T. Göbel, M. Schell, “Influence and adjustment of carrier lifetimes in InGaAs/InAlAs photoconductive pulsed terahertz detectors: 6 THz bandwidth and 90dB dynamic range,” Opt. Express, vol. 22, no. 16, p. 19411, 2014, doi: https://doi.org/10.1364/OE.22.019411.
  3. R. J. B. Dietz et al., “Low temperature grown photoconductive antennas for pulsed 1060 nm excitation: Influence of excess energy on the electron relaxation,” J. Infrared, Millimeter, Terahertz Waves, vol. 36, no. 1, pp. 60–71, 2015, doi: https://doi.org/10.1007/s10762-014-0119-3.
  4. S.-G. Park, K. H. Jin, M. Yi, J. C. Ye, J. Ahn, K.-H. Jeong, “Enhancement of terahertz pulse emission by optical nanoantenna,” ACS Nano, vol. 6, no. 3, pp. 2026–2031, 2012, doi: https://doi.org/10.1021/nn204542x.
  5. S. I. Krukovskyi, V. Arikov, A. O. Voronko, V. S. Antonyuk, “Features of low-temperature GaAs formation for epitaxy device structures,” J. Nano- Electron. Phys., vol. 14, no. 2, pp. 02016-1-02016–5, 2022, doi: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02016.
  6. J. S. C. Chang, D. W. Kisker, D. A. Stevenson, “Oxygen behavior in liquid phase epitaxial GaAs,” Solid-State Electron., vol. 28, no. 5, pp. 479–484, 1985, doi: https://doi.org/10.1016/0038-1101(85)90111-X.
  7. S. I. Krukovsky, A. Fedorchuk, “Mechanism of cleaning epitaxial layers GaAs, InGaAsP under the influence of complex doping in melts by rare-earth elements and aluminium in technology LPE,” Phys. Chem. Solid State, vol. 7, pp. 751–762, 2006.
  8. D. Zayachuk, N. Strukhlyak, S. Krukovsky, E. Goovaerts, Y. Polyhach, “GaAs thin films grown by LPE under influence of Yb impurity,” in Proc. 12th Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, 2004, pp. 11–12, doi: https://doi.org/10.6092/unibo/amsacta/1089.
  9. M. Wan, Y. Yashchyshyn, X. Lin, K. Godziszewski, D.-W. Sun, J. T. Sheridan, “Characterization of silicon in the terahertz,” in Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XIII, 2020, p. 83, doi: https://doi.org/10.1117/12.2547339.
Спектри пропускання та відбиття епітаксійної структури LT09 у діапазоні 80–145 ГГц

##submission.downloads##

Опубліковано

2024-08-26

Як цитувати

Круковський, С. І., Ваків, М. М., Ящишин, Є. М., Аріков, В. В., Воронько, А. О., Новіков, Д. О., Вербіцький, Д. О., & Кривець, О. І. (2024). Властивості низькотемпературного GaAs отриманого методом РФЕ для пристроїв терагерцового діапазону. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 67(8), 490–500. https://doi.org/10.20535/S0021347024080041

Номер

Том 67 № 8 (2024)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2024 Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.